รูปภาพอาจเป็นภาพแทน
ดูข้อมูลจำเพาะสำหรับรายละเอียดสินค้า.
SIJ484DP-T1-GE3

SIJ484DP-T1-GE3

MOSFET N-CH 30V 35A PPAK SO-8
ส่วนจำนวน
SIJ484DP-T1-GE3
ผู้ผลิต/แบรนด์
ชุด
TrenchFET®
สถานะชิ้นส่วน
Obsolete
บรรจุภัณฑ์
Tape & Reel (TR)
เทคโนโลยี
MOSFET (Metal Oxide)
อุณหภูมิในการทำงาน
-55°C ~ 150°C (TJ)
ประเภทการติดตั้ง
Surface Mount
แพ็คเกจ/กล่อง
PowerPAK® SO-8
แพคเกจอุปกรณ์ของซัพพลายเออร์
PowerPAK® SO-8
การกระจายพลังงาน (สูงสุด)
5W (Ta), 27.7W (Tc)
ประเภท FET
N-Channel
คุณสมบัติ FET
-
ระบายไปยังแหล่งแรงดันไฟฟ้า (Vdss)
30V
ปัจจุบัน - ท่อระบายน้ำต่อเนื่อง (Id) @ 25�C
35A (Tc)
Rds On (สูงสุด) @ Id, Vgs
6.3 mOhm @ 10A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.5V @ 250µA
ค่าเกต (Qg) (สูงสุด) @ Vgs
45nC @ 10V
ความจุอินพุต (Ciss) (สูงสุด) @ Vds
1600pF @ 15V
แรงดันไฟฟ้าของไดรฟ์ (เปิด Max Rds, เปิด Min Rds)
4.5V, 10V
วีจีเอส (สูงสุด)
±20V
ขอใบเสนอราคา
กรุณากรอกข้อมูลในช่องที่ต้องกรอกทั้งหมดแล้วคลิก "ส่ง" เราจะติดต่อคุณภายใน 12 ชั่วโมงทางอีเมล หากคุณมีปัญหาใดๆ โปรดฝากข้อความหรือส่งอีเมลไปที่ [email protected] เราจะตอบกลับโดยเร็วที่สุด
มีสินค้า 52268 PCS
ข้อมูลติดต่อ
คำสำคัญของ SIJ484DP-T1-GE3
SIJ484DP-T1-GE3 ชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์
SIJ484DP-T1-GE3 ฝ่ายขาย
SIJ484DP-T1-GE3 ผู้จัดหา
SIJ484DP-T1-GE3 ผู้จัดจำหน่าย
SIJ484DP-T1-GE3 ตารางข้อมูล
SIJ484DP-T1-GE3 ภาพถ่าย
SIJ484DP-T1-GE3 ราคา
SIJ484DP-T1-GE3 เสนอ
SIJ484DP-T1-GE3 ราคาต่ำสุด
SIJ484DP-T1-GE3 ค้นหา
SIJ484DP-T1-GE3 การจัดซื้อ
SIJ484DP-T1-GE3 Chip