รูปภาพอาจเป็นภาพแทน
ดูข้อมูลจำเพาะสำหรับรายละเอียดสินค้า.
SQ2337ES-T1_GE3

SQ2337ES-T1_GE3

MOSFET P-CHAN 80V SOT23
ส่วนจำนวน
SQ2337ES-T1_GE3
ผู้ผลิต/แบรนด์
ชุด
Automotive, AEC-Q101, TrenchFET®
สถานะชิ้นส่วน
Active
บรรจุภัณฑ์
Tape & Reel (TR)
เทคโนโลยี
MOSFET (Metal Oxide)
อุณหภูมิในการทำงาน
-55°C ~ 175°C (TJ)
ประเภทการติดตั้ง
Surface Mount
แพ็คเกจ/กล่อง
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
แพคเกจอุปกรณ์ของซัพพลายเออร์
SOT-23-3 (TO-236)
การกระจายพลังงาน (สูงสุด)
3W (Tc)
ประเภท FET
P-Channel
คุณสมบัติ FET
-
ระบายไปยังแหล่งแรงดันไฟฟ้า (Vdss)
80V
ปัจจุบัน - ท่อระบายน้ำต่อเนื่อง (Id) @ 25�C
2.2A (Tc)
Rds On (สูงสุด) @ Id, Vgs
290 mOhm @ 1A, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.5V @ 250µA
ค่าเกต (Qg) (สูงสุด) @ Vgs
18nC @ 10V
ความจุอินพุต (Ciss) (สูงสุด) @ Vds
620pF @ 30V
แรงดันไฟฟ้าของไดรฟ์ (เปิด Max Rds, เปิด Min Rds)
6V, 10V
วีจีเอส (สูงสุด)
±20V
ขอใบเสนอราคา
กรุณากรอกข้อมูลในช่องที่ต้องกรอกทั้งหมดแล้วคลิก "ส่ง" เราจะติดต่อคุณภายใน 12 ชั่วโมงทางอีเมล หากคุณมีปัญหาใดๆ โปรดฝากข้อความหรือส่งอีเมลไปที่ [email protected] เราจะตอบกลับโดยเร็วที่สุด
มีสินค้า 12605 PCS
ข้อมูลติดต่อ
คำสำคัญของ SQ2337ES-T1_GE3
SQ2337ES-T1_GE3 ชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์
SQ2337ES-T1_GE3 ฝ่ายขาย
SQ2337ES-T1_GE3 ผู้จัดหา
SQ2337ES-T1_GE3 ผู้จัดจำหน่าย
SQ2337ES-T1_GE3 ตารางข้อมูล
SQ2337ES-T1_GE3 ภาพถ่าย
SQ2337ES-T1_GE3 ราคา
SQ2337ES-T1_GE3 เสนอ
SQ2337ES-T1_GE3 ราคาต่ำสุด
SQ2337ES-T1_GE3 ค้นหา
SQ2337ES-T1_GE3 การจัดซื้อ
SQ2337ES-T1_GE3 Chip