SQM40031EL_GE3
MOSFET P-CH 40V 120A D2PAK
ส่วนจำนวน
SQM40031EL_GE3
ผู้ผลิต/แบรนด์
ชุด
Automotive, AEC-Q101, TrenchFET®
สถานะชิ้นส่วน
Active
บรรจุภัณฑ์
Cut Tape (CT)
เทคโนโลยี
MOSFET (Metal Oxide)
อุณหภูมิในการทำงาน
-55°C ~ 175°C (TJ)
ประเภทการติดตั้ง
Surface Mount
แพ็คเกจ/กล่อง
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
แพคเกจอุปกรณ์ของซัพพลายเออร์
D²PAK (TO-263)
การกระจายพลังงาน (สูงสุด)
375W (Tc)
ประเภท FET
P-Channel
คุณสมบัติ FET
-
ระบายไปยังแหล่งแรงดันไฟฟ้า (Vdss)
40V
ปัจจุบัน - ท่อระบายน้ำต่อเนื่อง (Id) @ 25�C
120A (Tc)
Rds On (สูงสุด) @ Id, Vgs
3 mOhm @ 30A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.5V @ 250µA
ค่าเกต (Qg) (สูงสุด) @ Vgs
800nC @ 10V
ความจุอินพุต (Ciss) (สูงสุด) @ Vds
39000pF @ 25V
แรงดันไฟฟ้าของไดรฟ์ (เปิด Max Rds, เปิด Min Rds)
4.5V, 10V
วีจีเอส (สูงสุด)
±20V
ขอใบเสนอราคา
กรุณากรอกข้อมูลในช่องที่ต้องกรอกทั้งหมดแล้วคลิก "ส่ง" เราจะติดต่อคุณภายใน 12 ชั่วโมงทางอีเมล หากคุณมีปัญหาใดๆ โปรดฝากข้อความหรือส่งอีเมลไปที่ chen_hx1688@hotmail.com เราจะตอบกลับโดยเร็วที่สุด
มีสินค้า 22772 PCS
ข้อมูลติดต่อ
สินค้าที่เกี่ยวข้อง
คำสำคัญของ SQM40031EL_GE3
SQM40031EL_GE3 ชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์
SQM40031EL_GE3 ฝ่ายขาย
SQM40031EL_GE3 ผู้จัดหา
SQM40031EL_GE3 ผู้จัดจำหน่าย
SQM40031EL_GE3 ตารางข้อมูล
SQM40031EL_GE3 ภาพถ่าย
SQM40031EL_GE3 ราคา
SQM40031EL_GE3 เสนอ
SQM40031EL_GE3 ราคาต่ำสุด
SQM40031EL_GE3 ค้นหา
SQM40031EL_GE3 การจัดซื้อ
SQM40031EL_GE3 Chip