รูปภาพอาจเป็นภาพแทน
ดูข้อมูลจำเพาะสำหรับรายละเอียดสินค้า.
SQS484ENW-T1_GE3

SQS484ENW-T1_GE3

MOSFET N-CH 40V 16A POWERPAK1212
ส่วนจำนวน
SQS484ENW-T1_GE3
ผู้ผลิต/แบรนด์
ชุด
Automotive, AEC-Q101, TrenchFET®
สถานะชิ้นส่วน
Active
บรรจุภัณฑ์
Cut Tape (CT)
เทคโนโลยี
MOSFET (Metal Oxide)
อุณหภูมิในการทำงาน
-55°C ~ 175°C (TJ)
ประเภทการติดตั้ง
Surface Mount
แพ็คเกจ/กล่อง
PowerPAK® 1212-8
แพคเกจอุปกรณ์ของซัพพลายเออร์
PowerPAK® 1212-8
การกระจายพลังงาน (สูงสุด)
62.5W (Tc)
ประเภท FET
N-Channel
คุณสมบัติ FET
-
ระบายไปยังแหล่งแรงดันไฟฟ้า (Vdss)
40V
ปัจจุบัน - ท่อระบายน้ำต่อเนื่อง (Id) @ 25�C
16A (Tc)
Rds On (สูงสุด) @ Id, Vgs
8 mOhm @ 10A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.5V @ 250µA
ค่าเกต (Qg) (สูงสุด) @ Vgs
35nC @ 10V
ความจุอินพุต (Ciss) (สูงสุด) @ Vds
1800pF @ 25V
แรงดันไฟฟ้าของไดรฟ์ (เปิด Max Rds, เปิด Min Rds)
4.5V, 10V
วีจีเอส (สูงสุด)
±20V
ขอใบเสนอราคา
กรุณากรอกข้อมูลในช่องที่ต้องกรอกทั้งหมดแล้วคลิก "ส่ง" เราจะติดต่อคุณภายใน 12 ชั่วโมงทางอีเมล หากคุณมีปัญหาใดๆ โปรดฝากข้อความหรือส่งอีเมลไปที่ [email protected] เราจะตอบกลับโดยเร็วที่สุด
มีสินค้า 46409 PCS
ข้อมูลติดต่อ
คำสำคัญของ SQS484ENW-T1_GE3
SQS484ENW-T1_GE3 ชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์
SQS484ENW-T1_GE3 ฝ่ายขาย
SQS484ENW-T1_GE3 ผู้จัดหา
SQS484ENW-T1_GE3 ผู้จัดจำหน่าย
SQS484ENW-T1_GE3 ตารางข้อมูล
SQS484ENW-T1_GE3 ภาพถ่าย
SQS484ENW-T1_GE3 ราคา
SQS484ENW-T1_GE3 เสนอ
SQS484ENW-T1_GE3 ราคาต่ำสุด
SQS484ENW-T1_GE3 ค้นหา
SQS484ENW-T1_GE3 การจัดซื้อ
SQS484ENW-T1_GE3 Chip