SUD19P06-60-GE3
MOSFET P-CH 60V 18.3A TO-252
ส่วนจำนวน
SUD19P06-60-GE3
ผู้ผลิต/แบรนด์
ชุด
TrenchFET®
สถานะชิ้นส่วน
Active
บรรจุภัณฑ์
Digi-Reel®
เทคโนโลยี
MOSFET (Metal Oxide)
อุณหภูมิในการทำงาน
-55°C ~ 150°C (TJ)
ประเภทการติดตั้ง
Surface Mount
แพ็คเกจ/กล่อง
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
แพคเกจอุปกรณ์ของซัพพลายเออร์
TO-252, (D-Pak)
การกระจายพลังงาน (สูงสุด)
2.3W (Ta), 38.5W (Tc)
ประเภท FET
P-Channel
คุณสมบัติ FET
-
ระบายไปยังแหล่งแรงดันไฟฟ้า (Vdss)
60V
ปัจจุบัน - ท่อระบายน้ำต่อเนื่อง (Id) @ 25�C
18.3A (Tc)
Rds On (สูงสุด) @ Id, Vgs
60 mOhm @ 10A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3V @ 250µA
ค่าเกต (Qg) (สูงสุด) @ Vgs
40nC @ 10V
ความจุอินพุต (Ciss) (สูงสุด) @ Vds
1710pF @ 25V
แรงดันไฟฟ้าของไดรฟ์ (เปิด Max Rds, เปิด Min Rds)
4.5V, 10V
วีจีเอส (สูงสุด)
±20V
ขอใบเสนอราคา
กรุณากรอกข้อมูลในช่องที่ต้องกรอกทั้งหมดแล้วคลิก "ส่ง" เราจะติดต่อคุณภายใน 12 ชั่วโมงทางอีเมล หากคุณมีปัญหาใดๆ โปรดฝากข้อความหรือส่งอีเมลไปที่ [email protected] เราจะตอบกลับโดยเร็วที่สุด
มีสินค้า 38521 PCS
ข้อมูลติดต่อ
สินค้าที่เกี่ยวข้อง
คำสำคัญของ SUD19P06-60-GE3
SUD19P06-60-GE3 ชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์
SUD19P06-60-GE3 ฝ่ายขาย
SUD19P06-60-GE3 ผู้จัดหา
SUD19P06-60-GE3 ผู้จัดจำหน่าย
SUD19P06-60-GE3 ตารางข้อมูล
SUD19P06-60-GE3 ภาพถ่าย
SUD19P06-60-GE3 ราคา
SUD19P06-60-GE3 เสนอ
SUD19P06-60-GE3 ราคาต่ำสุด
SUD19P06-60-GE3 ค้นหา
SUD19P06-60-GE3 การจัดซื้อ
SUD19P06-60-GE3 Chip