onsemi (Ansemi)
รูปภาพอาจเป็นภาพแทน
ดูข้อมูลจำเพาะสำหรับรายละเอียดสินค้า.
NSS40302PDR2G 1 NPN and 1 PNP 40V 3A low VCE(sat) transistors, complementary, 40 V, 6.0 A

NSS40302PDR2G

1 NPN and 1 PNP 40V 3A low VCE(sat) transistors, complementary, 40 V, 6.0 A
ส่วนจำนวน
NSS40302PDR2G
หมวดหมู่
Triode/MOS Tube/Transistor > Triode(BJT)
ผู้ผลิต/แบรนด์
onsemi (Ansemi)
การห่อหุ้ม
SOIC-8
การบรรจุ
taping
จำนวนแพ็คเกจ
2500
คำอธิบาย
ON Semiconductor's e2PowerEdge series of low VCE(sat) bipolar transistors are surface mount devices with ultra-low saturation voltage VCE(sat) and high current gain capability. These devices are designed for low-voltage, high-speed switching applications that require economical and efficient energy control. Typical applications are low voltage motor control in mass storage products such as disk drives and tape drives. In the automotive industry, they are used in airbag deployment and various instrument panels. The high current gain allows the e2PowerEdge device to be driven directly from the control output of a PMU, while the linear gain (Beta) makes it an ideal component for an analog amplifier.
ขอใบเสนอราคา
กรุณากรอกข้อมูลในช่องที่ต้องกรอกทั้งหมดแล้วคลิก "ส่ง" เราจะติดต่อคุณภายใน 12 ชั่วโมงทางอีเมล หากคุณมีปัญหาใดๆ โปรดฝากข้อความหรือส่งอีเมลไปที่ [email protected] เราจะตอบกลับโดยเร็วที่สุด
มีสินค้า 72302 PCS
ข้อมูลติดต่อ
คำสำคัญของ NSS40302PDR2G
NSS40302PDR2G ชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์
NSS40302PDR2G ฝ่ายขาย
NSS40302PDR2G ผู้จัดหา
NSS40302PDR2G ผู้จัดจำหน่าย
NSS40302PDR2G ตารางข้อมูล
NSS40302PDR2G ภาพถ่าย
NSS40302PDR2G ราคา
NSS40302PDR2G เสนอ
NSS40302PDR2G ราคาต่ำสุด
NSS40302PDR2G ค้นหา
NSS40302PDR2G การจัดซื้อ
NSS40302PDR2G Chip