ซื้อ Infineon Technologies BSC100N06LS3GATMA1 MOSFET N-CH 60V 50A TDSON-8

จีน
ผู้จัดจำหน่ายชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์ระดับมืออาชีพ

แคตตาล็อก ผู้ผลิต CN ICs

รูปภาพอาจเป็นภาพแทน
ดูข้อมูลจำเพาะสำหรับรายละเอียดสินค้า.

แผ่นข้อมูล

BSC100N06LS3GATMA1

MOSFET N-CH 60V 50A TDSON-8

ส่วนจำนวน

BSC100N06LS3GATMA1

ผู้ผลิต/แบรนด์

Infineon Technologies

ชุด

OptiMOS™

สถานะชิ้นส่วน

Active

บรรจุภัณฑ์

Cut Tape (CT)

เทคโนโลยี

MOSFET (Metal Oxide)

อุณหภูมิในการทำงาน

-55°C ~ 150°C (TJ)

ประเภทการติดตั้ง

Surface Mount

แพ็คเกจ/กล่อง

8-PowerTDFN

แพคเกจอุปกรณ์ของซัพพลายเออร์

PG-TDSON-8

การกระจายพลังงาน (สูงสุด)

2.5W (Ta), 50W (Tc)

ประเภท FET

N-Channel

คุณสมบัติ FET

ระบายไปยังแหล่งแรงดันไฟฟ้า (Vdss)

60V

ปัจจุบัน - ท่อระบายน้ำต่อเนื่อง (Id) @ 25�C

12A (Ta), 50A (Tc)

Rds On (สูงสุด) @ Id, Vgs

10 mOhm @ 50A, 10V

Vgs(th) (Max) @ Id

2.2V @ 23µA

ค่าเกต (Qg) (สูงสุด) @ Vgs

45nC @ 10V

ความจุอินพุต (Ciss) (สูงสุด) @ Vds

3500pF @ 30V

แรงดันไฟฟ้าของไดรฟ์ (เปิด Max Rds, เปิด Min Rds)

4.5V, 10V

วีจีเอส (สูงสุด)

±20V

ขอใบเสนอราคา

กรุณากรอกข้อมูลในช่องที่ต้องกรอกทั้งหมดแล้วคลิก "ส่ง" เราจะติดต่อคุณภายใน 12 ชั่วโมงทางอีเมล หากคุณมีปัญหาใดๆ โปรดฝากข้อความหรือส่งอีเมลไปที่ [email protected] เราจะตอบกลับโดยเร็วที่สุด

มีสินค้า 37293 PCS

ข้อมูลติดต่อ