รูปภาพอาจเป็นภาพแทน
ดูข้อมูลจำเพาะสำหรับรายละเอียดสินค้า.
IPC100N04S51R7ATMA1

IPC100N04S51R7ATMA1

MOSFET N-CH 40V 100A 8TDSON
ส่วนจำนวน
IPC100N04S51R7ATMA1
ผู้ผลิต/แบรนด์
ชุด
OptiMOS™
สถานะชิ้นส่วน
Active
บรรจุภัณฑ์
Cut Tape (CT)
เทคโนโลยี
MOSFET (Metal Oxide)
อุณหภูมิในการทำงาน
-55°C ~ 175°C (TJ)
ประเภทการติดตั้ง
Surface Mount
แพ็คเกจ/กล่อง
8-PowerTDFN
แพคเกจอุปกรณ์ของซัพพลายเออร์
PG-TDSON-8
การกระจายพลังงาน (สูงสุด)
115W (Tc)
ประเภท FET
N-Channel
คุณสมบัติ FET
-
ระบายไปยังแหล่งแรงดันไฟฟ้า (Vdss)
40V
ปัจจุบัน - ท่อระบายน้ำต่อเนื่อง (Id) @ 25�C
100A (Tc)
Rds On (สูงสุด) @ Id, Vgs
1.7 mOhm @ 50A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3.4V @ 60µA
ค่าเกต (Qg) (สูงสุด) @ Vgs
83nC @ 10V
ความจุอินพุต (Ciss) (สูงสุด) @ Vds
4810pF @ 25V
แรงดันไฟฟ้าของไดรฟ์ (เปิด Max Rds, เปิด Min Rds)
7V, 10V
วีจีเอส (สูงสุด)
±20V
ขอใบเสนอราคา
กรุณากรอกข้อมูลในช่องที่ต้องกรอกทั้งหมดแล้วคลิก "ส่ง" เราจะติดต่อคุณภายใน 12 ชั่วโมงทางอีเมล หากคุณมีปัญหาใดๆ โปรดฝากข้อความหรือส่งอีเมลไปที่ [email protected] เราจะตอบกลับโดยเร็วที่สุด
มีสินค้า 42649 PCS
ข้อมูลติดต่อ
คำสำคัญของ IPC100N04S51R7ATMA1
IPC100N04S51R7ATMA1 ชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์
IPC100N04S51R7ATMA1 ฝ่ายขาย
IPC100N04S51R7ATMA1 ผู้จัดหา
IPC100N04S51R7ATMA1 ผู้จัดจำหน่าย
IPC100N04S51R7ATMA1 ตารางข้อมูล
IPC100N04S51R7ATMA1 ภาพถ่าย
IPC100N04S51R7ATMA1 ราคา
IPC100N04S51R7ATMA1 เสนอ
IPC100N04S51R7ATMA1 ราคาต่ำสุด
IPC100N04S51R7ATMA1 ค้นหา
IPC100N04S51R7ATMA1 การจัดซื้อ
IPC100N04S51R7ATMA1 Chip