รูปภาพอาจเป็นภาพแทน
ดูข้อมูลจำเพาะสำหรับรายละเอียดสินค้า.
IPG20N04S412ATMA1

IPG20N04S412ATMA1

MOSFET 2N-CH 8TDSON
ส่วนจำนวน
IPG20N04S412ATMA1
ผู้ผลิต/แบรนด์
ชุด
Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™
สถานะชิ้นส่วน
Active
บรรจุภัณฑ์
Tape & Reel (TR)
อุณหภูมิในการทำงาน
-55°C ~ 175°C (TJ)
ประเภทการติดตั้ง
Surface Mount
แพ็คเกจ/กล่อง
8-PowerVDFN
กำลัง - สูงสุด
41W
แพคเกจอุปกรณ์ของซัพพลายเออร์
PG-TDSON-8-4
ประเภท FET
2 N-Channel (Dual)
คุณสมบัติ FET
Standard
ระบายไปยังแหล่งแรงดันไฟฟ้า (Vdss)
40V
ปัจจุบัน - ท่อระบายน้ำต่อเนื่อง (Id) @ 25�C
20A
Rds On (สูงสุด) @ Id, Vgs
12.2 mOhm @ 17A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 15µA
ค่าเกต (Qg) (สูงสุด) @ Vgs
18nC @ 10V
ความจุอินพุต (Ciss) (สูงสุด) @ Vds
1470pF @ 25V
ขอใบเสนอราคา
กรุณากรอกข้อมูลในช่องที่ต้องกรอกทั้งหมดแล้วคลิก "ส่ง" เราจะติดต่อคุณภายใน 12 ชั่วโมงทางอีเมล หากคุณมีปัญหาใดๆ โปรดฝากข้อความหรือส่งอีเมลไปที่ [email protected] เราจะตอบกลับโดยเร็วที่สุด
มีสินค้า 51218 PCS
ข้อมูลติดต่อ
คำสำคัญของ IPG20N04S412ATMA1
IPG20N04S412ATMA1 ชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์
IPG20N04S412ATMA1 ฝ่ายขาย
IPG20N04S412ATMA1 ผู้จัดหา
IPG20N04S412ATMA1 ผู้จัดจำหน่าย
IPG20N04S412ATMA1 ตารางข้อมูล
IPG20N04S412ATMA1 ภาพถ่าย
IPG20N04S412ATMA1 ราคา
IPG20N04S412ATMA1 เสนอ
IPG20N04S412ATMA1 ราคาต่ำสุด
IPG20N04S412ATMA1 ค้นหา
IPG20N04S412ATMA1 การจัดซื้อ
IPG20N04S412ATMA1 Chip