IPT60R080G7XTMA1
MOSFET N-CH 650V 29A HSOF-8
ส่วนจำนวน
IPT60R080G7XTMA1
ผู้ผลิต/แบรนด์
ชุด
CoolMOS™ G7
สถานะชิ้นส่วน
Active
บรรจุภัณฑ์
Tape & Reel (TR)
เทคโนโลยี
MOSFET (Metal Oxide)
อุณหภูมิในการทำงาน
-40°C ~ 150°C (TJ)
ประเภทการติดตั้ง
Surface Mount
แพ็คเกจ/กล่อง
8-PowerSFN
แพคเกจอุปกรณ์ของซัพพลายเออร์
PG-HSOF-8
การกระจายพลังงาน (สูงสุด)
167W (Tc)
ประเภท FET
N-Channel
คุณสมบัติ FET
-
ระบายไปยังแหล่งแรงดันไฟฟ้า (Vdss)
650V
ปัจจุบัน - ท่อระบายน้ำต่อเนื่อง (Id) @ 25�C
29A (Tc)
Rds On (สูงสุด) @ Id, Vgs
80 mOhm @ 9.7A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 490µA
ค่าเกต (Qg) (สูงสุด) @ Vgs
42nC @ 10V
ความจุอินพุต (Ciss) (สูงสุด) @ Vds
1640pF @ 400V
แรงดันไฟฟ้าของไดรฟ์ (เปิด Max Rds, เปิด Min Rds)
10V
วีจีเอส (สูงสุด)
±20V
ขอใบเสนอราคา
กรุณากรอกข้อมูลในช่องที่ต้องกรอกทั้งหมดแล้วคลิก "ส่ง" เราจะติดต่อคุณภายใน 12 ชั่วโมงทางอีเมล หากคุณมีปัญหาใดๆ โปรดฝากข้อความหรือส่งอีเมลไปที่ [email protected] เราจะตอบกลับโดยเร็วที่สุด
มีสินค้า 19281 PCS
ข้อมูลติดต่อ
สินค้าที่เกี่ยวข้อง
คำสำคัญของ IPT60R080G7XTMA1
IPT60R080G7XTMA1 ชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์
IPT60R080G7XTMA1 ฝ่ายขาย
IPT60R080G7XTMA1 ผู้จัดหา
IPT60R080G7XTMA1 ผู้จัดจำหน่าย
IPT60R080G7XTMA1 ตารางข้อมูล
IPT60R080G7XTMA1 ภาพถ่าย
IPT60R080G7XTMA1 ราคา
IPT60R080G7XTMA1 เสนอ
IPT60R080G7XTMA1 ราคาต่ำสุด
IPT60R080G7XTMA1 ค้นหา
IPT60R080G7XTMA1 การจัดซื้อ
IPT60R080G7XTMA1 Chip