IPW80R360P7XKSA1
MOSFET N-CH 800V 13A TO247-3
ส่วนจำนวน
IPW80R360P7XKSA1
ผู้ผลิต/แบรนด์
ชุด
CoolMOS™ P7
สถานะชิ้นส่วน
Active
บรรจุภัณฑ์
Tube
เทคโนโลยี
MOSFET (Metal Oxide)
อุณหภูมิในการทำงาน
-55°C ~ 150°C (TJ)
ประเภทการติดตั้ง
Through Hole
แพ็คเกจ/กล่อง
TO-247-3
แพคเกจอุปกรณ์ของซัพพลายเออร์
PG-TO247-3
การกระจายพลังงาน (สูงสุด)
84W (Tc)
ประเภท FET
N-Channel
คุณสมบัติ FET
-
ระบายไปยังแหล่งแรงดันไฟฟ้า (Vdss)
800V
ปัจจุบัน - ท่อระบายน้ำต่อเนื่อง (Id) @ 25�C
13A (Tc)
Rds On (สูงสุด) @ Id, Vgs
360 mOhm @ 5.6A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3.5V @ 280µA
ค่าเกต (Qg) (สูงสุด) @ Vgs
30nC @ 10V
ความจุอินพุต (Ciss) (สูงสุด) @ Vds
930pF @ 500V
แรงดันไฟฟ้าของไดรฟ์ (เปิด Max Rds, เปิด Min Rds)
10V
วีจีเอส (สูงสุด)
±20V
ขอใบเสนอราคา
กรุณากรอกข้อมูลในช่องที่ต้องกรอกทั้งหมดแล้วคลิก "ส่ง" เราจะติดต่อคุณภายใน 12 ชั่วโมงทางอีเมล หากคุณมีปัญหาใดๆ โปรดฝากข้อความหรือส่งอีเมลไปที่ [email protected] เราจะตอบกลับโดยเร็วที่สุด
มีสินค้า 10853 PCS
ข้อมูลติดต่อ
สินค้าที่เกี่ยวข้อง
คำสำคัญของ IPW80R360P7XKSA1
IPW80R360P7XKSA1 ชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์
IPW80R360P7XKSA1 ฝ่ายขาย
IPW80R360P7XKSA1 ผู้จัดหา
IPW80R360P7XKSA1 ผู้จัดจำหน่าย
IPW80R360P7XKSA1 ตารางข้อมูล
IPW80R360P7XKSA1 ภาพถ่าย
IPW80R360P7XKSA1 ราคา
IPW80R360P7XKSA1 เสนอ
IPW80R360P7XKSA1 ราคาต่ำสุด
IPW80R360P7XKSA1 ค้นหา
IPW80R360P7XKSA1 การจัดซื้อ
IPW80R360P7XKSA1 Chip