IRL3102S
MOSFET N-CH 20V 61A D2PAK
ส่วนจำนวน
IRL3102S
ผู้ผลิต/แบรนด์
ชุด
HEXFET®
สถานะชิ้นส่วน
Obsolete
บรรจุภัณฑ์
Tube
เทคโนโลยี
MOSFET (Metal Oxide)
อุณหภูมิในการทำงาน
-55°C ~ 150°C (TJ)
ประเภทการติดตั้ง
Surface Mount
แพ็คเกจ/กล่อง
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
แพคเกจอุปกรณ์ของซัพพลายเออร์
D2PAK
การกระจายพลังงาน (สูงสุด)
89W (Tc)
ประเภท FET
N-Channel
คุณสมบัติ FET
-
ระบายไปยังแหล่งแรงดันไฟฟ้า (Vdss)
20V
ปัจจุบัน - ท่อระบายน้ำต่อเนื่อง (Id) @ 25�C
61A (Tc)
Rds On (สูงสุด) @ Id, Vgs
13 mOhm @ 37A, 7V
Vgs(th) (Max) @ Id
700mV @ 250µA
ค่าเกต (Qg) (สูงสุด) @ Vgs
58nC @ 4.5V
ความจุอินพุต (Ciss) (สูงสุด) @ Vds
2500pF @ 15V
แรงดันไฟฟ้าของไดรฟ์ (เปิด Max Rds, เปิด Min Rds)
4.5V, 7V
วีจีเอส (สูงสุด)
±10V
ขอใบเสนอราคา
กรุณากรอกข้อมูลในช่องที่ต้องกรอกทั้งหมดแล้วคลิก "ส่ง" เราจะติดต่อคุณภายใน 12 ชั่วโมงทางอีเมล หากคุณมีปัญหาใดๆ โปรดฝากข้อความหรือส่งอีเมลไปที่ [email protected] เราจะตอบกลับโดยเร็วที่สุด
มีสินค้า 25889 PCS
ข้อมูลติดต่อ
สินค้าที่เกี่ยวข้อง
คำสำคัญของ IRL3102S
IRL3102S ชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์
IRL3102S ฝ่ายขาย
IRL3102S ผู้จัดหา
IRL3102S ผู้จัดจำหน่าย
IRL3102S ตารางข้อมูล
IRL3102S ภาพถ่าย
IRL3102S ราคา
IRL3102S เสนอ
IRL3102S ราคาต่ำสุด
IRL3102S ค้นหา
IRL3102S การจัดซื้อ
IRL3102S Chip