รูปภาพอาจเป็นภาพแทน
ดูข้อมูลจำเพาะสำหรับรายละเอียดสินค้า.
ดูข้อมูลจำเพาะสำหรับรายละเอียดสินค้า.
IXRFSM18N50
18A 500V MOSFET IN SMPD PACKAGE
ส่วนจำนวน
IXRFSM18N50
ผู้ผลิต/แบรนด์
ชุด
SMPD
สถานะชิ้นส่วน
Active
บรรจุภัณฑ์
Tube
เทคโนโลยี
MOSFET (Metal Oxide)
อุณหภูมิในการทำงาน
-55°C ~ 150°C (TJ)
ประเภทการติดตั้ง
Surface Mount
แพ็คเกจ/กล่อง
16-BESOP (0.790", 20.11mm Width), 15 Leads, Exposed Pad
แพคเกจอุปกรณ์ของซัพพลายเออร์
16-SMPD
การกระจายพลังงาน (สูงสุด)
835W
ประเภท FET
N-Channel
คุณสมบัติ FET
-
ระบายไปยังแหล่งแรงดันไฟฟ้า (Vdss)
500V
ปัจจุบัน - ท่อระบายน้ำต่อเนื่อง (Id) @ 25�C
19A (Tc)
Rds On (สูงสุด) @ Id, Vgs
340 mOhm @ 9.5A, 20V
Vgs(th) (Max) @ Id
6.5V @ 250µA
ค่าเกต (Qg) (สูงสุด) @ Vgs
42nC @ 10V
ความจุอินพุต (Ciss) (สูงสุด) @ Vds
2250pF @ 400V
แรงดันไฟฟ้าของไดรฟ์ (เปิด Max Rds, เปิด Min Rds)
20V
วีจีเอส (สูงสุด)
±20V
ขอใบเสนอราคา
กรุณากรอกข้อมูลในช่องที่ต้องกรอกทั้งหมดแล้วคลิก "ส่ง" เราจะติดต่อคุณภายใน 12 ชั่วโมงทางอีเมล หากคุณมีปัญหาใดๆ โปรดฝากข้อความหรือส่งอีเมลไปที่ [email protected] เราจะตอบกลับโดยเร็วที่สุด
มีสินค้า 11027 PCS
ข้อมูลติดต่อ
สินค้าที่เกี่ยวข้อง
คำสำคัญของ IXRFSM18N50
IXRFSM18N50 ชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์
IXRFSM18N50 ฝ่ายขาย
IXRFSM18N50 ผู้จัดหา
IXRFSM18N50 ผู้จัดจำหน่าย
IXRFSM18N50 ตารางข้อมูล
IXRFSM18N50 ภาพถ่าย
IXRFSM18N50 ราคา
IXRFSM18N50 เสนอ
IXRFSM18N50 ราคาต่ำสุด
IXRFSM18N50 ค้นหา
IXRFSM18N50 การจัดซื้อ
IXRFSM18N50 Chip