PQMD12Z
TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.35W 6DFN
ส่วนจำนวน
PQMD12Z
ผู้ผลิต/แบรนด์
ชุด
-
สถานะชิ้นส่วน
Active
บรรจุภัณฑ์
Cut Tape (CT)
ประเภทการติดตั้ง
Surface Mount
แพ็คเกจ/กล่อง
6-XFDFN Exposed Pad
กำลัง - สูงสุด
350mW
แพคเกจอุปกรณ์ของซัพพลายเออร์
DFN1010B-6
ประเภททรานซิสเตอร์
1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
กระแสไฟ - คอลเลคเตอร์ (Ic) (สูงสุด)
100mA
แรงดันไฟฟ้า - ตัวสะสมอิมิตเตอร์พังทลาย (สูงสุด)
50V
Vce ความอิ่มตัว (สูงสุด) @ Ib, Ic
150mV @ 500µA, 10mA
ปัจจุบัน - ตัวตัดกระแสสะสม (สูงสุด)
100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (ต่ำสุด) @ Ic, Vce
80 @ 5mA, 5V
ความถี่ - การเปลี่ยนแปลง
230MHz, 180MHz
ตัวต้านทาน - ฐาน (R1)
47 kOhms
ตัวต้านทาน - ฐานตัวส่งสัญญาณ (R2)
47 kOhms
ขอใบเสนอราคา
กรุณากรอกข้อมูลในช่องที่ต้องกรอกทั้งหมดแล้วคลิก "ส่ง" เราจะติดต่อคุณภายใน 12 ชั่วโมงทางอีเมล หากคุณมีปัญหาใดๆ โปรดฝากข้อความหรือส่งอีเมลไปที่ [email protected] เราจะตอบกลับโดยเร็วที่สุด
มีสินค้า 5472 PCS
ข้อมูลติดต่อ
สินค้าที่เกี่ยวข้อง
คำสำคัญของ PQMD12Z
PQMD12Z ชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์
PQMD12Z ฝ่ายขาย
PQMD12Z ผู้จัดหา
PQMD12Z ผู้จัดจำหน่าย
PQMD12Z ตารางข้อมูล
PQMD12Z ภาพถ่าย
PQMD12Z ราคา
PQMD12Z เสนอ
PQMD12Z ราคาต่ำสุด
PQMD12Z ค้นหา
PQMD12Z การจัดซื้อ
PQMD12Z Chip