ซื้อ NXP USA Inc. PHB110NQ06LT,118 MOSFET N-CH 55V 75A D2PAK

จีน
ผู้จัดจำหน่ายชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์ระดับมืออาชีพ

แคตตาล็อก ผู้ผลิต CN ICs

รูปภาพอาจเป็นภาพแทน
ดูข้อมูลจำเพาะสำหรับรายละเอียดสินค้า.

แผ่นข้อมูล

PHB110NQ06LT,118

MOSFET N-CH 55V 75A D2PAK

ส่วนจำนวน

PHB110NQ06LT,118

ผู้ผลิต/แบรนด์

NXP USA Inc.

ชุด

TrenchMOS™

สถานะชิ้นส่วน

Obsolete

บรรจุภัณฑ์

Digi-Reel®

เทคโนโลยี

MOSFET (Metal Oxide)

อุณหภูมิในการทำงาน

-55°C ~ 175°C (TJ)

ประเภทการติดตั้ง

Surface Mount

แพ็คเกจ/กล่อง

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

แพคเกจอุปกรณ์ของซัพพลายเออร์

D2PAK

การกระจายพลังงาน (สูงสุด)

200W (Tc)

ประเภท FET

N-Channel

คุณสมบัติ FET

ระบายไปยังแหล่งแรงดันไฟฟ้า (Vdss)

55V

ปัจจุบัน - ท่อระบายน้ำต่อเนื่อง (Id) @ 25�C

75A (Tc)

Rds On (สูงสุด) @ Id, Vgs

7 mOhm @ 25A, 10V

Vgs(th) (Max) @ Id

2V @ 1mA

ค่าเกต (Qg) (สูงสุด) @ Vgs

45nC @ 5V

ความจุอินพุต (Ciss) (สูงสุด) @ Vds

3960pF @ 25V

แรงดันไฟฟ้าของไดรฟ์ (เปิด Max Rds, เปิด Min Rds)

4.5V, 10V

วีจีเอส (สูงสุด)

±15V

ขอใบเสนอราคา

กรุณากรอกข้อมูลในช่องที่ต้องกรอกทั้งหมดแล้วคลิก "ส่ง" เราจะติดต่อคุณภายใน 12 ชั่วโมงทางอีเมล หากคุณมีปัญหาใดๆ โปรดฝากข้อความหรือส่งอีเมลไปที่ [email protected] เราจะตอบกลับโดยเร็วที่สุด

มีสินค้า 54877 PCS

ข้อมูลติดต่อ

สินค้าที่เกี่ยวข้อง

PHB101NQ04T,118

MOSFET N-CH 40V 75A D2PAK