FDS5170N7
MOSFET N-CH 60V 10.6A 8-SOIC
ส่วนจำนวน
FDS5170N7
ผู้ผลิต/แบรนด์
ชุด
PowerTrench®
สถานะชิ้นส่วน
Obsolete
บรรจุภัณฑ์
Tape & Reel (TR)
เทคโนโลยี
MOSFET (Metal Oxide)
อุณหภูมิในการทำงาน
-55°C ~ 150°C (TJ)
ประเภทการติดตั้ง
Surface Mount
แพ็คเกจ/กล่อง
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
แพคเกจอุปกรณ์ของซัพพลายเออร์
8-SO
การกระจายพลังงาน (สูงสุด)
3W (Ta)
ประเภท FET
N-Channel
คุณสมบัติ FET
-
ระบายไปยังแหล่งแรงดันไฟฟ้า (Vdss)
60V
ปัจจุบัน - ท่อระบายน้ำต่อเนื่อง (Id) @ 25�C
10.6A (Ta)
Rds On (สูงสุด) @ Id, Vgs
12 mOhm @ 10.6A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
ค่าเกต (Qg) (สูงสุด) @ Vgs
71nC @ 10V
ความจุอินพุต (Ciss) (สูงสุด) @ Vds
2889pF @ 30V
แรงดันไฟฟ้าของไดรฟ์ (เปิด Max Rds, เปิด Min Rds)
6V, 10V
วีจีเอส (สูงสุด)
±20V
ขอใบเสนอราคา
กรุณากรอกข้อมูลในช่องที่ต้องกรอกทั้งหมดแล้วคลิก "ส่ง" เราจะติดต่อคุณภายใน 12 ชั่วโมงทางอีเมล หากคุณมีปัญหาใดๆ โปรดฝากข้อความหรือส่งอีเมลไปที่ [email protected] เราจะตอบกลับโดยเร็วที่สุด
มีสินค้า 54863 PCS
ข้อมูลติดต่อ
สินค้าที่เกี่ยวข้อง
คำสำคัญของ FDS5170N7
FDS5170N7 ชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์
FDS5170N7 ฝ่ายขาย
FDS5170N7 ผู้จัดหา
FDS5170N7 ผู้จัดจำหน่าย
FDS5170N7 ตารางข้อมูล
FDS5170N7 ภาพถ่าย
FDS5170N7 ราคา
FDS5170N7 เสนอ
FDS5170N7 ราคาต่ำสุด
FDS5170N7 ค้นหา
FDS5170N7 การจัดซื้อ
FDS5170N7 Chip