NID9N05ACLT4G
MOSFET N-CH 52V 9A LL DPAK-3
ส่วนจำนวน
NID9N05ACLT4G
ผู้ผลิต/แบรนด์
ชุด
-
สถานะชิ้นส่วน
Active
บรรจุภัณฑ์
Cut Tape (CT)
เทคโนโลยี
MOSFET (Metal Oxide)
อุณหภูมิในการทำงาน
-55°C ~ 175°C (TJ)
ประเภทการติดตั้ง
Surface Mount
แพ็คเกจ/กล่อง
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
แพคเกจอุปกรณ์ของซัพพลายเออร์
DPAK
การกระจายพลังงาน (สูงสุด)
1.74W (Ta)
ประเภท FET
N-Channel
คุณสมบัติ FET
-
ระบายไปยังแหล่งแรงดันไฟฟ้า (Vdss)
52V
ปัจจุบัน - ท่อระบายน้ำต่อเนื่อง (Id) @ 25�C
9A (Ta)
Rds On (สูงสุด) @ Id, Vgs
90 mOhm @ 9A, 12V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.5V @ 100µA
ค่าเกต (Qg) (สูงสุด) @ Vgs
7nC @ 4.5V
ความจุอินพุต (Ciss) (สูงสุด) @ Vds
250pF @ 40V
แรงดันไฟฟ้าของไดรฟ์ (เปิด Max Rds, เปิด Min Rds)
3V, 12V
วีจีเอส (สูงสุด)
±15V
ขอใบเสนอราคา
กรุณากรอกข้อมูลในช่องที่ต้องกรอกทั้งหมดแล้วคลิก "ส่ง" เราจะติดต่อคุณภายใน 12 ชั่วโมงทางอีเมล หากคุณมีปัญหาใดๆ โปรดฝากข้อความหรือส่งอีเมลไปที่ [email protected] เราจะตอบกลับโดยเร็วที่สุด
มีสินค้า 20349 PCS
ข้อมูลติดต่อ
สินค้าที่เกี่ยวข้อง
คำสำคัญของ NID9N05ACLT4G
NID9N05ACLT4G ชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์
NID9N05ACLT4G ฝ่ายขาย
NID9N05ACLT4G ผู้จัดหา
NID9N05ACLT4G ผู้จัดจำหน่าย
NID9N05ACLT4G ตารางข้อมูล
NID9N05ACLT4G ภาพถ่าย
NID9N05ACLT4G ราคา
NID9N05ACLT4G เสนอ
NID9N05ACLT4G ราคาต่ำสุด
NID9N05ACLT4G ค้นหา
NID9N05ACLT4G การจัดซื้อ
NID9N05ACLT4G Chip