NVATS4A101PZT4G
MOSFET P-CHANNEL 30V 27A ATPAK
ส่วนจำนวน
NVATS4A101PZT4G
ผู้ผลิต/แบรนด์
ชุด
-
สถานะชิ้นส่วน
Active
บรรจุภัณฑ์
Tape & Reel (TR)
เทคโนโลยี
MOSFET (Metal Oxide)
อุณหภูมิในการทำงาน
-55°C ~ 175°C (TJ)
ประเภทการติดตั้ง
Surface Mount
แพ็คเกจ/กล่อง
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
แพคเกจอุปกรณ์ของซัพพลายเออร์
ATPAK
การกระจายพลังงาน (สูงสุด)
36W (Tc)
ประเภท FET
P-Channel
คุณสมบัติ FET
-
ระบายไปยังแหล่งแรงดันไฟฟ้า (Vdss)
30V
ปัจจุบัน - ท่อระบายน้ำต่อเนื่อง (Id) @ 25�C
27A (Ta)
Rds On (สูงสุด) @ Id, Vgs
30 mOhm @ 13A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.6V @ 1mA
ค่าเกต (Qg) (สูงสุด) @ Vgs
18.5nC @ 10V
ความจุอินพุต (Ciss) (สูงสุด) @ Vds
875pF @ 10V
แรงดันไฟฟ้าของไดรฟ์ (เปิด Max Rds, เปิด Min Rds)
4.5V, 10V
วีจีเอส (สูงสุด)
±20V
ขอใบเสนอราคา
กรุณากรอกข้อมูลในช่องที่ต้องกรอกทั้งหมดแล้วคลิก "ส่ง" เราจะติดต่อคุณภายใน 12 ชั่วโมงทางอีเมล หากคุณมีปัญหาใดๆ โปรดฝากข้อความหรือส่งอีเมลไปที่ [email protected] เราจะตอบกลับโดยเร็วที่สุด
มีสินค้า 36265 PCS
ข้อมูลติดต่อ
สินค้าที่เกี่ยวข้อง
คำสำคัญของ NVATS4A101PZT4G
NVATS4A101PZT4G ชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์
NVATS4A101PZT4G ฝ่ายขาย
NVATS4A101PZT4G ผู้จัดหา
NVATS4A101PZT4G ผู้จัดจำหน่าย
NVATS4A101PZT4G ตารางข้อมูล
NVATS4A101PZT4G ภาพถ่าย
NVATS4A101PZT4G ราคา
NVATS4A101PZT4G เสนอ
NVATS4A101PZT4G ราคาต่ำสุด
NVATS4A101PZT4G ค้นหา
NVATS4A101PZT4G การจัดซื้อ
NVATS4A101PZT4G Chip