QS6K1TR
MOSFET 2N-CH 30V 1A TSMT6
ส่วนจำนวน
QS6K1TR
ผู้ผลิต/แบรนด์
ชุด
-
สถานะชิ้นส่วน
Active
บรรจุภัณฑ์
Cut Tape (CT)
อุณหภูมิในการทำงาน
150°C (TJ)
ประเภทการติดตั้ง
Surface Mount
แพ็คเกจ/กล่อง
SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
กำลัง - สูงสุด
1.25W
แพคเกจอุปกรณ์ของซัพพลายเออร์
TSMT6 (SC-95)
ประเภท FET
2 N-Channel (Dual)
คุณสมบัติ FET
Logic Level Gate
ระบายไปยังแหล่งแรงดันไฟฟ้า (Vdss)
30V
ปัจจุบัน - ท่อระบายน้ำต่อเนื่อง (Id) @ 25�C
1A
Rds On (สูงสุด) @ Id, Vgs
238 mOhm @ 1A, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id
1.5V @ 1mA
ค่าเกต (Qg) (สูงสุด) @ Vgs
2.4nC @ 4.5V
ความจุอินพุต (Ciss) (สูงสุด) @ Vds
77pF @ 10V
ขอใบเสนอราคา
กรุณากรอกข้อมูลในช่องที่ต้องกรอกทั้งหมดแล้วคลิก "ส่ง" เราจะติดต่อคุณภายใน 12 ชั่วโมงทางอีเมล หากคุณมีปัญหาใดๆ โปรดฝากข้อความหรือส่งอีเมลไปที่ [email protected] เราจะตอบกลับโดยเร็วที่สุด
มีสินค้า 52970 PCS
ข้อมูลติดต่อ
สินค้าที่เกี่ยวข้อง
คำสำคัญของ QS6K1TR
QS6K1TR ชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์
QS6K1TR ฝ่ายขาย
QS6K1TR ผู้จัดหา
QS6K1TR ผู้จัดจำหน่าย
QS6K1TR ตารางข้อมูล
QS6K1TR ภาพถ่าย
QS6K1TR ราคา
QS6K1TR เสนอ
QS6K1TR ราคาต่ำสุด
QS6K1TR ค้นหา
QS6K1TR การจัดซื้อ
QS6K1TR Chip