ซื้อ Rohm Semiconductor RUC002N05HZGT116 1.2V DRIVE NCH MOSFET

จีน
ผู้จัดจำหน่ายชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์ระดับมืออาชีพ

แคตตาล็อก ผู้ผลิต CN ICs

รูปภาพอาจเป็นภาพแทน
ดูข้อมูลจำเพาะสำหรับรายละเอียดสินค้า.

แผ่นข้อมูล

RUC002N05HZGT116

1.2V DRIVE NCH MOSFET

ส่วนจำนวน

RUC002N05HZGT116

ผู้ผลิต/แบรนด์

Rohm Semiconductor

ชุด

Automotive, AEC-Q101

สถานะชิ้นส่วน

Active

บรรจุภัณฑ์

Digi-Reel®

เทคโนโลยี

MOSFET (Metal Oxide)

อุณหภูมิในการทำงาน

150°C (TJ)

ประเภทการติดตั้ง

Surface Mount

แพ็คเกจ/กล่อง

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

แพคเกจอุปกรณ์ของซัพพลายเออร์

SST3

การกระจายพลังงาน (สูงสุด)

350mW (Ta)

ประเภท FET

N-Channel

คุณสมบัติ FET

ระบายไปยังแหล่งแรงดันไฟฟ้า (Vdss)

50V

ปัจจุบัน - ท่อระบายน้ำต่อเนื่อง (Id) @ 25�C

200mA (Ta)

Rds On (สูงสุด) @ Id, Vgs

Vgs(th) (Max) @ Id

1V @ 1mA

ค่าเกต (Qg) (สูงสุด) @ Vgs

ความจุอินพุต (Ciss) (สูงสุด) @ Vds

25pF @ 10V

แรงดันไฟฟ้าของไดรฟ์ (เปิด Max Rds, เปิด Min Rds)

1.2V, 4.5V

วีจีเอส (สูงสุด)

±8V

ขอใบเสนอราคา

กรุณากรอกข้อมูลในช่องที่ต้องกรอกทั้งหมดแล้วคลิก "ส่ง" เราจะติดต่อคุณภายใน 12 ชั่วโมงทางอีเมล หากคุณมีปัญหาใดๆ โปรดฝากข้อความหรือส่งอีเมลไปที่ [email protected] เราจะตอบกลับโดยเร็วที่สุด

มีสินค้า 38123 PCS

ข้อมูลติดต่อ