VT6M1T2CR
MOSFET N/P-CH 20V 0.1A VMT6
ส่วนจำนวน
VT6M1T2CR
ผู้ผลิต/แบรนด์
ชุด
-
สถานะชิ้นส่วน
Active
บรรจุภัณฑ์
Tape & Reel (TR)
อุณหภูมิในการทำงาน
150°C (TJ)
ประเภทการติดตั้ง
Surface Mount
แพ็คเกจ/กล่อง
6-SMD, Flat Leads
กำลัง - สูงสุด
120mW
แพคเกจอุปกรณ์ของซัพพลายเออร์
VMT6
ประเภท FET
N and P-Channel
คุณสมบัติ FET
Logic Level Gate, 1.2V Drive
ระบายไปยังแหล่งแรงดันไฟฟ้า (Vdss)
20V
ปัจจุบัน - ท่อระบายน้ำต่อเนื่อง (Id) @ 25�C
100mA
Rds On (สูงสุด) @ Id, Vgs
3.5 Ohm @ 100mA, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id
1V @ 100µA
ค่าเกต (Qg) (สูงสุด) @ Vgs
-
ความจุอินพุต (Ciss) (สูงสุด) @ Vds
7.1pF @ 10V
ขอใบเสนอราคา
กรุณากรอกข้อมูลในช่องที่ต้องกรอกทั้งหมดแล้วคลิก "ส่ง" เราจะติดต่อคุณภายใน 12 ชั่วโมงทางอีเมล หากคุณมีปัญหาใดๆ โปรดฝากข้อความหรือส่งอีเมลไปที่ [email protected] เราจะตอบกลับโดยเร็วที่สุด
มีสินค้า 40691 PCS
ข้อมูลติดต่อ
สินค้าที่เกี่ยวข้อง
คำสำคัญของ VT6M1T2CR
VT6M1T2CR ชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์
VT6M1T2CR ฝ่ายขาย
VT6M1T2CR ผู้จัดหา
VT6M1T2CR ผู้จัดจำหน่าย
VT6M1T2CR ตารางข้อมูล
VT6M1T2CR ภาพถ่าย
VT6M1T2CR ราคา
VT6M1T2CR เสนอ
VT6M1T2CR ราคาต่ำสุด
VT6M1T2CR ค้นหา
VT6M1T2CR การจัดซื้อ
VT6M1T2CR Chip