ซื้อ Texas Instruments CSD13201W10 MOSFET N-CH 12V 1.6A 4DSBGA

จีน
ผู้จัดจำหน่ายชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์ระดับมืออาชีพ

แคตตาล็อก ผู้ผลิต CN ICs

รูปภาพอาจเป็นภาพแทน
ดูข้อมูลจำเพาะสำหรับรายละเอียดสินค้า.

แผ่นข้อมูล

CSD13201W10

MOSFET N-CH 12V 1.6A 4DSBGA

ส่วนจำนวน

CSD13201W10

ผู้ผลิต/แบรนด์

Texas Instruments

ชุด

NexFET™

สถานะชิ้นส่วน

Active

บรรจุภัณฑ์

Cut Tape (CT)

เทคโนโลยี

MOSFET (Metal Oxide)

อุณหภูมิในการทำงาน

-55°C ~ 150°C (TJ)

ประเภทการติดตั้ง

Surface Mount

แพ็คเกจ/กล่อง

4-UFBGA, DSBGA

แพคเกจอุปกรณ์ของซัพพลายเออร์

4-DSBGA (1x1)

การกระจายพลังงาน (สูงสุด)

1.2W (Ta)

ประเภท FET

N-Channel

คุณสมบัติ FET

ระบายไปยังแหล่งแรงดันไฟฟ้า (Vdss)

12V

ปัจจุบัน - ท่อระบายน้ำต่อเนื่อง (Id) @ 25�C

1.6A (Ta)

Rds On (สูงสุด) @ Id, Vgs

34 mOhm @ 1A, 4.5V

Vgs(th) (Max) @ Id

1.1V @ 250µA

ค่าเกต (Qg) (สูงสุด) @ Vgs

2.9nC @ 4.5V

ความจุอินพุต (Ciss) (สูงสุด) @ Vds

462pF @ 6V

แรงดันไฟฟ้าของไดรฟ์ (เปิด Max Rds, เปิด Min Rds)

1.8V, 4.5V

วีจีเอส (สูงสุด)

±8V

ขอใบเสนอราคา

กรุณากรอกข้อมูลในช่องที่ต้องกรอกทั้งหมดแล้วคลิก "ส่ง" เราจะติดต่อคุณภายใน 12 ชั่วโมงทางอีเมล หากคุณมีปัญหาใดๆ โปรดฝากข้อความหรือส่งอีเมลไปที่ [email protected] เราจะตอบกลับโดยเร็วที่สุด

มีสินค้า 52991 PCS

ข้อมูลติดต่อ