ซื้อ Toshiba Semiconductor and Storage TK30A06N1,S4X MOSFET N-CH 60V 30A TO-220

จีน
ผู้จัดจำหน่ายชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์ระดับมืออาชีพ

แคตตาล็อก ผู้ผลิต CN ICs

รูปภาพอาจเป็นภาพแทน
ดูข้อมูลจำเพาะสำหรับรายละเอียดสินค้า.

ดูข้อมูลเพิ่มเติม แผ่นข้อมูล

TK30A06N1,S4X

MOSFET N-CH 60V 30A TO-220

ส่วนจำนวน

TK30A06N1,S4X

ผู้ผลิต/แบรนด์

Toshiba Semiconductor and Storage

ชุด

U-MOSVIII-H

สถานะชิ้นส่วน

Active

บรรจุภัณฑ์

Tube

เทคโนโลยี

MOSFET (Metal Oxide)

อุณหภูมิในการทำงาน

150°C (TJ)

ประเภทการติดตั้ง

Through Hole

แพ็คเกจ/กล่อง

TO-220-3 Full Pack

แพคเกจอุปกรณ์ของซัพพลายเออร์

TO-220SIS

การกระจายพลังงาน (สูงสุด)

25W (Tc)

ประเภท FET

N-Channel

คุณสมบัติ FET

ระบายไปยังแหล่งแรงดันไฟฟ้า (Vdss)

60V

ปัจจุบัน - ท่อระบายน้ำต่อเนื่อง (Id) @ 25�C

30A (Tc)

Rds On (สูงสุด) @ Id, Vgs

15 mOhm @ 15A, 10V

Vgs(th) (Max) @ Id

4V @ 200µA

ค่าเกต (Qg) (สูงสุด) @ Vgs

16nC @ 10V

ความจุอินพุต (Ciss) (สูงสุด) @ Vds

1050pF @ 30V

แรงดันไฟฟ้าของไดรฟ์ (เปิด Max Rds, เปิด Min Rds)

10V

วีจีเอส (สูงสุด)

±20V

ขอใบเสนอราคา

กรุณากรอกข้อมูลในช่องที่ต้องกรอกทั้งหมดแล้วคลิก "ส่ง" เราจะติดต่อคุณภายใน 12 ชั่วโมงทางอีเมล หากคุณมีปัญหาใดๆ โปรดฝากข้อความหรือส่งอีเมลไปที่ [email protected] เราจะตอบกลับโดยเร็วที่สุด

มีสินค้า 16243 PCS

ข้อมูลติดต่อ