TK35E08N1,S1X
MOSFET N-CH 80V 55A TO-220
ส่วนจำนวน
TK35E08N1,S1X
ผู้ผลิต/แบรนด์
ชุด
U-MOSVIII-H
สถานะชิ้นส่วน
Active
บรรจุภัณฑ์
Tube
เทคโนโลยี
MOSFET (Metal Oxide)
อุณหภูมิในการทำงาน
150°C (TJ)
ประเภทการติดตั้ง
Through Hole
แพ็คเกจ/กล่อง
TO-220-3
แพคเกจอุปกรณ์ของซัพพลายเออร์
TO-220
การกระจายพลังงาน (สูงสุด)
72W (Tc)
ประเภท FET
N-Channel
คุณสมบัติ FET
-
ระบายไปยังแหล่งแรงดันไฟฟ้า (Vdss)
80V
ปัจจุบัน - ท่อระบายน้ำต่อเนื่อง (Id) @ 25�C
55A (Tc)
Rds On (สูงสุด) @ Id, Vgs
12.2 mOhm @ 17.5A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 300µA
ค่าเกต (Qg) (สูงสุด) @ Vgs
25nC @ 10V
ความจุอินพุต (Ciss) (สูงสุด) @ Vds
1700pF @ 40V
แรงดันไฟฟ้าของไดรฟ์ (เปิด Max Rds, เปิด Min Rds)
10V
วีจีเอส (สูงสุด)
±20V
ขอใบเสนอราคา
กรุณากรอกข้อมูลในช่องที่ต้องกรอกทั้งหมดแล้วคลิก "ส่ง" เราจะติดต่อคุณภายใน 12 ชั่วโมงทางอีเมล หากคุณมีปัญหาใดๆ โปรดฝากข้อความหรือส่งอีเมลไปที่ [email protected] เราจะตอบกลับโดยเร็วที่สุด
มีสินค้า 35022 PCS
ข้อมูลติดต่อ
สินค้าที่เกี่ยวข้อง
คำสำคัญของ TK35E08N1,S1X
TK35E08N1,S1X ชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์
TK35E08N1,S1X ฝ่ายขาย
TK35E08N1,S1X ผู้จัดหา
TK35E08N1,S1X ผู้จัดจำหน่าย
TK35E08N1,S1X ตารางข้อมูล
TK35E08N1,S1X ภาพถ่าย
TK35E08N1,S1X ราคา
TK35E08N1,S1X เสนอ
TK35E08N1,S1X ราคาต่ำสุด
TK35E08N1,S1X ค้นหา
TK35E08N1,S1X การจัดซื้อ
TK35E08N1,S1X Chip