ซื้อ Toshiba Semiconductor and Storage TK80S06K3L(T6L1,NQ MOSFET N-CH 60V 80A DPAK-3

จีน
ผู้จัดจำหน่ายชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์ระดับมืออาชีพ

แคตตาล็อก ผู้ผลิต CN ICs

รูปภาพอาจเป็นภาพแทน
ดูข้อมูลจำเพาะสำหรับรายละเอียดสินค้า.

ดูข้อมูลเพิ่มเติม แผ่นข้อมูล

TK80S06K3L(T6L1,NQ

MOSFET N-CH 60V 80A DPAK-3

ส่วนจำนวน

TK80S06K3L(T6L1,NQ

ผู้ผลิต/แบรนด์

Toshiba Semiconductor and Storage

ชุด

U-MOSIV

สถานะชิ้นส่วน

Active

บรรจุภัณฑ์

Tape & Reel (TR)

เทคโนโลยี

MOSFET (Metal Oxide)

อุณหภูมิในการทำงาน

175°C (TJ)

ประเภทการติดตั้ง

Surface Mount

แพ็คเกจ/กล่อง

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

แพคเกจอุปกรณ์ของซัพพลายเออร์

DPAK+

การกระจายพลังงาน (สูงสุด)

100W (Tc)

ประเภท FET

N-Channel

คุณสมบัติ FET

ระบายไปยังแหล่งแรงดันไฟฟ้า (Vdss)

60V

ปัจจุบัน - ท่อระบายน้ำต่อเนื่อง (Id) @ 25�C

80A (Ta)

Rds On (สูงสุด) @ Id, Vgs

5.5 mOhm @ 40A, 10V

Vgs(th) (Max) @ Id

3V @ 1mA

ค่าเกต (Qg) (สูงสุด) @ Vgs

85nC @ 10V

ความจุอินพุต (Ciss) (สูงสุด) @ Vds

4200pF @ 10V

แรงดันไฟฟ้าของไดรฟ์ (เปิด Max Rds, เปิด Min Rds)

6V, 10V

วีจีเอส (สูงสุด)

±20V

ขอใบเสนอราคา

กรุณากรอกข้อมูลในช่องที่ต้องกรอกทั้งหมดแล้วคลิก "ส่ง" เราจะติดต่อคุณภายใน 12 ชั่วโมงทางอีเมล หากคุณมีปัญหาใดๆ โปรดฝากข้อความหรือส่งอีเมลไปที่ [email protected] เราจะตอบกลับโดยเร็วที่สุด

มีสินค้า 34729 PCS

ข้อมูลติดต่อ