TPH2900ENH,L1Q
MOSFET N-CH 200V 33A SOP8
ส่วนจำนวน
TPH2900ENH,L1Q
ผู้ผลิต/แบรนด์
ชุด
U-MOSVIII-H
สถานะชิ้นส่วน
Active
บรรจุภัณฑ์
Tape & Reel (TR)
เทคโนโลยี
MOSFET (Metal Oxide)
อุณหภูมิในการทำงาน
150°C (TJ)
ประเภทการติดตั้ง
Surface Mount
แพ็คเกจ/กล่อง
8-PowerVDFN
แพคเกจอุปกรณ์ของซัพพลายเออร์
8-SOP Advance (5x5)
การกระจายพลังงาน (สูงสุด)
78W (Tc)
ประเภท FET
N-Channel
คุณสมบัติ FET
-
ระบายไปยังแหล่งแรงดันไฟฟ้า (Vdss)
200V
ปัจจุบัน - ท่อระบายน้ำต่อเนื่อง (Id) @ 25�C
33A (Ta)
Rds On (สูงสุด) @ Id, Vgs
29 mOhm @ 16.5A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 1mA
ค่าเกต (Qg) (สูงสุด) @ Vgs
22nC @ 10V
ความจุอินพุต (Ciss) (สูงสุด) @ Vds
2200pF @ 100V
แรงดันไฟฟ้าของไดรฟ์ (เปิด Max Rds, เปิด Min Rds)
10V
วีจีเอส (สูงสุด)
±20V
ขอใบเสนอราคา
กรุณากรอกข้อมูลในช่องที่ต้องกรอกทั้งหมดแล้วคลิก "ส่ง" เราจะติดต่อคุณภายใน 12 ชั่วโมงทางอีเมล หากคุณมีปัญหาใดๆ โปรดฝากข้อความหรือส่งอีเมลไปที่ [email protected] เราจะตอบกลับโดยเร็วที่สุด
มีสินค้า 19342 PCS
ข้อมูลติดต่อ
สินค้าที่เกี่ยวข้อง
คำสำคัญของ TPH2900ENH,L1Q
TPH2900ENH,L1Q ชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์
TPH2900ENH,L1Q ฝ่ายขาย
TPH2900ENH,L1Q ผู้จัดหา
TPH2900ENH,L1Q ผู้จัดจำหน่าย
TPH2900ENH,L1Q ตารางข้อมูล
TPH2900ENH,L1Q ภาพถ่าย
TPH2900ENH,L1Q ราคา
TPH2900ENH,L1Q เสนอ
TPH2900ENH,L1Q ราคาต่ำสุด
TPH2900ENH,L1Q ค้นหา
TPH2900ENH,L1Q การจัดซื้อ
TPH2900ENH,L1Q Chip