ซื้อ Toshiba Semiconductor and Storage TPN3300ANH,LQ MOSFET N-CH 100V 9.4A 8TSON

จีน
ผู้จัดจำหน่ายชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์ระดับมืออาชีพ

แคตตาล็อก ผู้ผลิต CN ICs

รูปภาพอาจเป็นภาพแทน
ดูข้อมูลจำเพาะสำหรับรายละเอียดสินค้า.

แผ่นข้อมูล

TPN3300ANH,LQ

MOSFET N-CH 100V 9.4A 8TSON

ส่วนจำนวน

TPN3300ANH,LQ

ผู้ผลิต/แบรนด์

Toshiba Semiconductor and Storage

ชุด

U-MOSVIII-H

สถานะชิ้นส่วน

Active

บรรจุภัณฑ์

Cut Tape (CT)

เทคโนโลยี

MOSFET (Metal Oxide)

อุณหภูมิในการทำงาน

150°C (TJ)

ประเภทการติดตั้ง

Surface Mount

แพ็คเกจ/กล่อง

8-PowerVDFN

แพคเกจอุปกรณ์ของซัพพลายเออร์

8-TSON Advance (3.3x3.3)

การกระจายพลังงาน (สูงสุด)

700mW (Ta), 27W (Tc)

ประเภท FET

N-Channel

คุณสมบัติ FET

ระบายไปยังแหล่งแรงดันไฟฟ้า (Vdss)

100V

ปัจจุบัน - ท่อระบายน้ำต่อเนื่อง (Id) @ 25�C

9.4A (Tc)

Rds On (สูงสุด) @ Id, Vgs

33 mOhm @ 4.7A, 10V

Vgs(th) (Max) @ Id

4V @ 100µA

ค่าเกต (Qg) (สูงสุด) @ Vgs

11nC @ 10V

ความจุอินพุต (Ciss) (สูงสุด) @ Vds

880pF @ 50V

แรงดันไฟฟ้าของไดรฟ์ (เปิด Max Rds, เปิด Min Rds)

10V

วีจีเอส (สูงสุด)

±20V

ขอใบเสนอราคา

กรุณากรอกข้อมูลในช่องที่ต้องกรอกทั้งหมดแล้วคลิก "ส่ง" เราจะติดต่อคุณภายใน 12 ชั่วโมงทางอีเมล หากคุณมีปัญหาใดๆ โปรดฝากข้อความหรือส่งอีเมลไปที่ [email protected] เราจะตอบกลับโดยเร็วที่สุด

มีสินค้า 41184 PCS

ข้อมูลติดต่อ