ซื้อ Vishay Siliconix SI4101DY-T1-GE3 MOSFET P-CH 30V 25.7A 8SOIC

จีน
ผู้จัดจำหน่ายชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์ระดับมืออาชีพ

แคตตาล็อก ผู้ผลิต CN ICs

รูปภาพอาจเป็นภาพแทน
ดูข้อมูลจำเพาะสำหรับรายละเอียดสินค้า.

แผ่นข้อมูล

SI4101DY-T1-GE3

MOSFET P-CH 30V 25.7A 8SOIC

ส่วนจำนวน

SI4101DY-T1-GE3

ผู้ผลิต/แบรนด์

Vishay Siliconix

ชุด

TrenchFET®

สถานะชิ้นส่วน

Active

บรรจุภัณฑ์

Cut Tape (CT)

เทคโนโลยี

MOSFET (Metal Oxide)

อุณหภูมิในการทำงาน

-55°C ~ 150°C (TJ)

ประเภทการติดตั้ง

Surface Mount

แพ็คเกจ/กล่อง

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

แพคเกจอุปกรณ์ของซัพพลายเออร์

8-SO

การกระจายพลังงาน (สูงสุด)

6W (Tc)

ประเภท FET

P-Channel

คุณสมบัติ FET

ระบายไปยังแหล่งแรงดันไฟฟ้า (Vdss)

30V

ปัจจุบัน - ท่อระบายน้ำต่อเนื่อง (Id) @ 25�C

25.7A (Tc)

Rds On (สูงสุด) @ Id, Vgs

6 mOhm @ 15A, 10V

Vgs(th) (Max) @ Id

2.5V @ 250µA

ค่าเกต (Qg) (สูงสุด) @ Vgs

203nC @ 10V

ความจุอินพุต (Ciss) (สูงสุด) @ Vds

8190pF @ 15V

แรงดันไฟฟ้าของไดรฟ์ (เปิด Max Rds, เปิด Min Rds)

4.5V, 10V

วีจีเอส (สูงสุด)

±20V

ขอใบเสนอราคา

กรุณากรอกข้อมูลในช่องที่ต้องกรอกทั้งหมดแล้วคลิก "ส่ง" เราจะติดต่อคุณภายใน 12 ชั่วโมงทางอีเมล หากคุณมีปัญหาใดๆ โปรดฝากข้อความหรือส่งอีเมลไปที่ [email protected] เราจะตอบกลับโดยเร็วที่สุด

มีสินค้า 12342 PCS

ข้อมูลติดต่อ

สินค้าที่เกี่ยวข้อง

SI4100DY-T1-E3

MOSFET N-CH 100V 6.8A 8-SOIC