ซื้อ Vishay Siliconix SIB406EDK-T1-GE3 MOSFET N-CH 20V 6A SC-75-6

จีน
ผู้จัดจำหน่ายชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์ระดับมืออาชีพ

แคตตาล็อก ผู้ผลิต CN ICs

รูปภาพอาจเป็นภาพแทน
ดูข้อมูลจำเพาะสำหรับรายละเอียดสินค้า.

แผ่นข้อมูล

SIB406EDK-T1-GE3

MOSFET N-CH 20V 6A SC-75-6

ส่วนจำนวน

SIB406EDK-T1-GE3

ผู้ผลิต/แบรนด์

Vishay Siliconix

ชุด

TrenchFET®

สถานะชิ้นส่วน

Active

บรรจุภัณฑ์

Cut Tape (CT)

เทคโนโลยี

MOSFET (Metal Oxide)

อุณหภูมิในการทำงาน

-55°C ~ 150°C (TJ)

ประเภทการติดตั้ง

Surface Mount

แพ็คเกจ/กล่อง

PowerPAK® SC-75-6L

แพคเกจอุปกรณ์ของซัพพลายเออร์

PowerPAK® SC-75-6L Single

การกระจายพลังงาน (สูงสุด)

1.95W (Ta), 10W (Tc)

ประเภท FET

N-Channel

คุณสมบัติ FET

ระบายไปยังแหล่งแรงดันไฟฟ้า (Vdss)

20V

ปัจจุบัน - ท่อระบายน้ำต่อเนื่อง (Id) @ 25�C

6A (Tc)

Rds On (สูงสุด) @ Id, Vgs

46 mOhm @ 3.9A, 4.5V

Vgs(th) (Max) @ Id

1.4V @ 250µA

ค่าเกต (Qg) (สูงสุด) @ Vgs

12nC @ 10V

ความจุอินพุต (Ciss) (สูงสุด) @ Vds

350pF @ 10V

แรงดันไฟฟ้าของไดรฟ์ (เปิด Max Rds, เปิด Min Rds)

2.5V, 4.5V

วีจีเอส (สูงสุด)

±12V

ขอใบเสนอราคา

กรุณากรอกข้อมูลในช่องที่ต้องกรอกทั้งหมดแล้วคลิก "ส่ง" เราจะติดต่อคุณภายใน 12 ชั่วโมงทางอีเมล หากคุณมีปัญหาใดๆ โปรดฝากข้อความหรือส่งอีเมลไปที่ [email protected] เราจะตอบกลับโดยเร็วที่สุด

มีสินค้า 14542 PCS

ข้อมูลติดต่อ

สินค้าที่เกี่ยวข้อง

SIB404DK-T1-GE3

MOSFET N-CH 12V 9A SC-75-6L