รูปภาพอาจเป็นภาพแทน
ดูข้อมูลจำเพาะสำหรับรายละเอียดสินค้า.
SIB456DK-T1-GE3

SIB456DK-T1-GE3

MOSFET N-CH 100V 6.3A SC75-6L
ส่วนจำนวน
SIB456DK-T1-GE3
ผู้ผลิต/แบรนด์
ชุด
TrenchFET®
สถานะชิ้นส่วน
Active
บรรจุภัณฑ์
Tape & Reel (TR)
เทคโนโลยี
MOSFET (Metal Oxide)
อุณหภูมิในการทำงาน
-55°C ~ 150°C (TJ)
ประเภทการติดตั้ง
Surface Mount
แพ็คเกจ/กล่อง
PowerPAK® SC-75-6L
แพคเกจอุปกรณ์ของซัพพลายเออร์
PowerPAK® SC-75-6L Single
การกระจายพลังงาน (สูงสุด)
2.4W (Ta), 13W (Tc)
ประเภท FET
N-Channel
คุณสมบัติ FET
-
ระบายไปยังแหล่งแรงดันไฟฟ้า (Vdss)
100V
ปัจจุบัน - ท่อระบายน้ำต่อเนื่อง (Id) @ 25�C
6.3A (Tc)
Rds On (สูงสุด) @ Id, Vgs
185 mOhm @ 1.9A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3V @ 250µA
ค่าเกต (Qg) (สูงสุด) @ Vgs
5nC @ 10V
ความจุอินพุต (Ciss) (สูงสุด) @ Vds
130pF @ 50V
แรงดันไฟฟ้าของไดรฟ์ (เปิด Max Rds, เปิด Min Rds)
4.5V, 10V
วีจีเอส (สูงสุด)
±20V
ขอใบเสนอราคา
กรุณากรอกข้อมูลในช่องที่ต้องกรอกทั้งหมดแล้วคลิก "ส่ง" เราจะติดต่อคุณภายใน 12 ชั่วโมงทางอีเมล หากคุณมีปัญหาใดๆ โปรดฝากข้อความหรือส่งอีเมลไปที่ [email protected] เราจะตอบกลับโดยเร็วที่สุด
มีสินค้า 23238 PCS
ข้อมูลติดต่อ
คำสำคัญของ SIB456DK-T1-GE3
SIB456DK-T1-GE3 ชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์
SIB456DK-T1-GE3 ฝ่ายขาย
SIB456DK-T1-GE3 ผู้จัดหา
SIB456DK-T1-GE3 ผู้จัดจำหน่าย
SIB456DK-T1-GE3 ตารางข้อมูล
SIB456DK-T1-GE3 ภาพถ่าย
SIB456DK-T1-GE3 ราคา
SIB456DK-T1-GE3 เสนอ
SIB456DK-T1-GE3 ราคาต่ำสุด
SIB456DK-T1-GE3 ค้นหา
SIB456DK-T1-GE3 การจัดซื้อ
SIB456DK-T1-GE3 Chip