ซื้อ Vishay Siliconix SIDR392DP-T1-GE3 MOSFET N-CHAN 30V

จีน
ผู้จัดจำหน่ายชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์ระดับมืออาชีพ

แคตตาล็อก ผู้ผลิต CN ICs

รูปภาพอาจเป็นภาพแทน
ดูข้อมูลจำเพาะสำหรับรายละเอียดสินค้า.

ดูข้อมูลเพิ่มเติม แผ่นข้อมูล

SIDR392DP-T1-GE3

MOSFET N-CHAN 30V

ส่วนจำนวน

SIDR392DP-T1-GE3

ผู้ผลิต/แบรนด์

Vishay Siliconix

ชุด

TrenchFET® Gen IV

สถานะชิ้นส่วน

Active

บรรจุภัณฑ์

Tape & Reel (TR)

เทคโนโลยี

MOSFET (Metal Oxide)

อุณหภูมิในการทำงาน

-55°C ~ 150°C (TJ)

ประเภทการติดตั้ง

Surface Mount

แพ็คเกจ/กล่อง

PowerPAK® SO-8

แพคเกจอุปกรณ์ของซัพพลายเออร์

PowerPAK® SO-8DC

การกระจายพลังงาน (สูงสุด)

6.25W (Ta), 125W (Tc)

ประเภท FET

N-Channel

คุณสมบัติ FET

ระบายไปยังแหล่งแรงดันไฟฟ้า (Vdss)

30V

ปัจจุบัน - ท่อระบายน้ำต่อเนื่อง (Id) @ 25�C

82A (Ta), 100A (Tc)

Rds On (สูงสุด) @ Id, Vgs

0.62 mOhm @ 20A, 10V

Vgs(th) (Max) @ Id

2.2V @ 250µA

ค่าเกต (Qg) (สูงสุด) @ Vgs

188nC @ 10V

ความจุอินพุต (Ciss) (สูงสุด) @ Vds

9530pF @ 15V

แรงดันไฟฟ้าของไดรฟ์ (เปิด Max Rds, เปิด Min Rds)

4.5V, 10V

วีจีเอส (สูงสุด)

+20V, -16V

ขอใบเสนอราคา

กรุณากรอกข้อมูลในช่องที่ต้องกรอกทั้งหมดแล้วคลิก "ส่ง" เราจะติดต่อคุณภายใน 12 ชั่วโมงทางอีเมล หากคุณมีปัญหาใดๆ โปรดฝากข้อความหรือส่งอีเมลไปที่ [email protected] เราจะตอบกลับโดยเร็วที่สุด

มีสินค้า 28333 PCS

ข้อมูลติดต่อ

สินค้าที่เกี่ยวข้อง

SIDR140DP-T1-GE3

MOSFET N-CHAN 25V PPAK SO-8DC