รูปภาพอาจเป็นภาพแทน
ดูข้อมูลจำเพาะสำหรับรายละเอียดสินค้า.
SIDR622DP-T1-GE3

SIDR622DP-T1-GE3

MOSFET N-CHAN 150V
ส่วนจำนวน
SIDR622DP-T1-GE3
ผู้ผลิต/แบรนด์
ชุด
TrenchFET®
สถานะชิ้นส่วน
Active
บรรจุภัณฑ์
Digi-Reel®
เทคโนโลยี
MOSFET (Metal Oxide)
อุณหภูมิในการทำงาน
-55°C ~ 150°C (TJ)
ประเภทการติดตั้ง
Surface Mount
แพ็คเกจ/กล่อง
PowerPAK® SO-8
แพคเกจอุปกรณ์ของซัพพลายเออร์
PowerPAK® SO-8DC
การกระจายพลังงาน (สูงสุด)
6.25W (Ta), 125W (Tc)
ประเภท FET
N-Channel
คุณสมบัติ FET
-
ระบายไปยังแหล่งแรงดันไฟฟ้า (Vdss)
150V
ปัจจุบัน - ท่อระบายน้ำต่อเนื่อง (Id) @ 25�C
64.6A (Ta), 56.7A (Tc)
Rds On (สูงสุด) @ Id, Vgs
17.7 mOhm @ 20A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4.5V @ 250µA
ค่าเกต (Qg) (สูงสุด) @ Vgs
41nC @ 10V
ความจุอินพุต (Ciss) (สูงสุด) @ Vds
1516pF @ 75V
แรงดันไฟฟ้าของไดรฟ์ (เปิด Max Rds, เปิด Min Rds)
7.5V, 10V
วีจีเอส (สูงสุด)
±20V
ขอใบเสนอราคา
กรุณากรอกข้อมูลในช่องที่ต้องกรอกทั้งหมดแล้วคลิก "ส่ง" เราจะติดต่อคุณภายใน 12 ชั่วโมงทางอีเมล หากคุณมีปัญหาใดๆ โปรดฝากข้อความหรือส่งอีเมลไปที่ [email protected] เราจะตอบกลับโดยเร็วที่สุด
มีสินค้า 19869 PCS
ข้อมูลติดต่อ
คำสำคัญของ SIDR622DP-T1-GE3
SIDR622DP-T1-GE3 ชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์
SIDR622DP-T1-GE3 ฝ่ายขาย
SIDR622DP-T1-GE3 ผู้จัดหา
SIDR622DP-T1-GE3 ผู้จัดจำหน่าย
SIDR622DP-T1-GE3 ตารางข้อมูล
SIDR622DP-T1-GE3 ภาพถ่าย
SIDR622DP-T1-GE3 ราคา
SIDR622DP-T1-GE3 เสนอ
SIDR622DP-T1-GE3 ราคาต่ำสุด
SIDR622DP-T1-GE3 ค้นหา
SIDR622DP-T1-GE3 การจัดซื้อ
SIDR622DP-T1-GE3 Chip