SIHD12N50E-GE3
MOSFET N-CHAN 500V DPAK
ส่วนจำนวน
SIHD12N50E-GE3
ผู้ผลิต/แบรนด์
ชุด
E
สถานะชิ้นส่วน
Active
บรรจุภัณฑ์
Tube
เทคโนโลยี
MOSFET (Metal Oxide)
อุณหภูมิในการทำงาน
-55°C ~ 150°C (TA)
ประเภทการติดตั้ง
Surface Mount
แพ็คเกจ/กล่อง
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
แพคเกจอุปกรณ์ของซัพพลายเออร์
D-PAK (TO-252AA)
การกระจายพลังงาน (สูงสุด)
114W (Tc)
ประเภท FET
N-Channel
คุณสมบัติ FET
-
ระบายไปยังแหล่งแรงดันไฟฟ้า (Vdss)
550V
ปัจจุบัน - ท่อระบายน้ำต่อเนื่อง (Id) @ 25�C
10.5A (Tc)
Rds On (สูงสุด) @ Id, Vgs
380 mOhm @ 6A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
ค่าเกต (Qg) (สูงสุด) @ Vgs
50nC @ 10V
ความจุอินพุต (Ciss) (สูงสุด) @ Vds
886pF @ 100V
แรงดันไฟฟ้าของไดรฟ์ (เปิด Max Rds, เปิด Min Rds)
10V
วีจีเอส (สูงสุด)
±30V
ขอใบเสนอราคา
กรุณากรอกข้อมูลในช่องที่ต้องกรอกทั้งหมดแล้วคลิก "ส่ง" เราจะติดต่อคุณภายใน 12 ชั่วโมงทางอีเมล หากคุณมีปัญหาใดๆ โปรดฝากข้อความหรือส่งอีเมลไปที่ [email protected] เราจะตอบกลับโดยเร็วที่สุด
มีสินค้า 22596 PCS
ข้อมูลติดต่อ
สินค้าที่เกี่ยวข้อง
คำสำคัญของ SIHD12N50E-GE3
SIHD12N50E-GE3 ชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์
SIHD12N50E-GE3 ฝ่ายขาย
SIHD12N50E-GE3 ผู้จัดหา
SIHD12N50E-GE3 ผู้จัดจำหน่าย
SIHD12N50E-GE3 ตารางข้อมูล
SIHD12N50E-GE3 ภาพถ่าย
SIHD12N50E-GE3 ราคา
SIHD12N50E-GE3 เสนอ
SIHD12N50E-GE3 ราคาต่ำสุด
SIHD12N50E-GE3 ค้นหา
SIHD12N50E-GE3 การจัดซื้อ
SIHD12N50E-GE3 Chip