SIHD7N60E-GE3
MOSFET N-CH 600V 7A TO-252
ส่วนจำนวน
SIHD7N60E-GE3
ผู้ผลิต/แบรนด์
ชุด
-
สถานะชิ้นส่วน
Active
บรรจุภัณฑ์
Bulk
เทคโนโลยี
MOSFET (Metal Oxide)
อุณหภูมิในการทำงาน
-55°C ~ 150°C (TJ)
ประเภทการติดตั้ง
Surface Mount
แพ็คเกจ/กล่อง
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
แพคเกจอุปกรณ์ของซัพพลายเออร์
D-Pak
การกระจายพลังงาน (สูงสุด)
78W (Tc)
ประเภท FET
N-Channel
คุณสมบัติ FET
-
ระบายไปยังแหล่งแรงดันไฟฟ้า (Vdss)
600V
ปัจจุบัน - ท่อระบายน้ำต่อเนื่อง (Id) @ 25�C
7A (Tc)
Rds On (สูงสุด) @ Id, Vgs
600 mOhm @ 3.5A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
ค่าเกต (Qg) (สูงสุด) @ Vgs
40nC @ 10V
ความจุอินพุต (Ciss) (สูงสุด) @ Vds
680pF @ 100V
แรงดันไฟฟ้าของไดรฟ์ (เปิด Max Rds, เปิด Min Rds)
10V
วีจีเอส (สูงสุด)
±30V
ขอใบเสนอราคา
กรุณากรอกข้อมูลในช่องที่ต้องกรอกทั้งหมดแล้วคลิก "ส่ง" เราจะติดต่อคุณภายใน 12 ชั่วโมงทางอีเมล หากคุณมีปัญหาใดๆ โปรดฝากข้อความหรือส่งอีเมลไปที่ chen_hx1688@hotmail.com เราจะตอบกลับโดยเร็วที่สุด
มีสินค้า 29786 PCS
ข้อมูลติดต่อ
สินค้าที่เกี่ยวข้อง
คำสำคัญของ SIHD7N60E-GE3
SIHD7N60E-GE3 ชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์
SIHD7N60E-GE3 ฝ่ายขาย
SIHD7N60E-GE3 ผู้จัดหา
SIHD7N60E-GE3 ผู้จัดจำหน่าย
SIHD7N60E-GE3 ตารางข้อมูล
SIHD7N60E-GE3 ภาพถ่าย
SIHD7N60E-GE3 ราคา
SIHD7N60E-GE3 เสนอ
SIHD7N60E-GE3 ราคาต่ำสุด
SIHD7N60E-GE3 ค้นหา
SIHD7N60E-GE3 การจัดซื้อ
SIHD7N60E-GE3 Chip