รูปภาพอาจเป็นภาพแทน
ดูข้อมูลจำเพาะสำหรับรายละเอียดสินค้า.
SIHG100N60E-GE3

SIHG100N60E-GE3

MOSFET E SERIES 600V TO247AC
ส่วนจำนวน
SIHG100N60E-GE3
ผู้ผลิต/แบรนด์
ชุด
E
สถานะชิ้นส่วน
Active
เทคโนโลยี
MOSFET (Metal Oxide)
อุณหภูมิในการทำงาน
-55°C ~ 150°C (TJ)
ประเภทการติดตั้ง
Through Hole
แพ็คเกจ/กล่อง
TO-247-3
แพคเกจอุปกรณ์ของซัพพลายเออร์
TO-247AC
การกระจายพลังงาน (สูงสุด)
208W (Tc)
ประเภท FET
N-Channel
ระบายไปยังแหล่งแรงดันไฟฟ้า (Vdss)
600V
ปัจจุบัน - ท่อระบายน้ำต่อเนื่อง (Id) @ 25�C
30A (Tc)
Rds On (สูงสุด) @ Id, Vgs
100 mOhm @ 13A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
5V @ 250µA
ค่าเกต (Qg) (สูงสุด) @ Vgs
50nC @ 10V
ความจุอินพุต (Ciss) (สูงสุด) @ Vds
1851pF @ 100V
วีจีเอส (สูงสุด)
±30V
แรงดันไฟฟ้าของไดรฟ์ (เปิด Max Rds, เปิด Min Rds)
10V
ขอใบเสนอราคา
กรุณากรอกข้อมูลในช่องที่ต้องกรอกทั้งหมดแล้วคลิก "ส่ง" เราจะติดต่อคุณภายใน 12 ชั่วโมงทางอีเมล หากคุณมีปัญหาใดๆ โปรดฝากข้อความหรือส่งอีเมลไปที่ [email protected] เราจะตอบกลับโดยเร็วที่สุด
มีสินค้า 7487 PCS
ข้อมูลติดต่อ
คำสำคัญของ SIHG100N60E-GE3
SIHG100N60E-GE3 ชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์
SIHG100N60E-GE3 ฝ่ายขาย
SIHG100N60E-GE3 ผู้จัดหา
SIHG100N60E-GE3 ผู้จัดจำหน่าย
SIHG100N60E-GE3 ตารางข้อมูล
SIHG100N60E-GE3 ภาพถ่าย
SIHG100N60E-GE3 ราคา
SIHG100N60E-GE3 เสนอ
SIHG100N60E-GE3 ราคาต่ำสุด
SIHG100N60E-GE3 ค้นหา
SIHG100N60E-GE3 การจัดซื้อ
SIHG100N60E-GE3 Chip