ซื้อ Vishay Siliconix SIHG33N65E-GE3 MOSFET N-CH 650V 32.4A TO-247AC

จีน
ผู้จัดจำหน่ายชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์ระดับมืออาชีพ

แคตตาล็อก ผู้ผลิต CN ICs

รูปภาพอาจเป็นภาพแทน
ดูข้อมูลจำเพาะสำหรับรายละเอียดสินค้า.

ดูข้อมูลเพิ่มเติม แผ่นข้อมูล

SIHG33N65E-GE3

MOSFET N-CH 650V 32.4A TO-247AC

ส่วนจำนวน

SIHG33N65E-GE3

ผู้ผลิต/แบรนด์

Vishay Siliconix

ชุด

สถานะชิ้นส่วน

Active

บรรจุภัณฑ์

Tape & Reel (TR)

เทคโนโลยี

MOSFET (Metal Oxide)

อุณหภูมิในการทำงาน

-55°C ~ 150°C (TJ)

ประเภทการติดตั้ง

Through Hole

แพ็คเกจ/กล่อง

TO-247-3

แพคเกจอุปกรณ์ของซัพพลายเออร์

TO-247AC

การกระจายพลังงาน (สูงสุด)

313W (Tc)

ประเภท FET

N-Channel

คุณสมบัติ FET

ระบายไปยังแหล่งแรงดันไฟฟ้า (Vdss)

650V

ปัจจุบัน - ท่อระบายน้ำต่อเนื่อง (Id) @ 25�C

32.4A (Tc)

Rds On (สูงสุด) @ Id, Vgs

105 mOhm @ 16.5A, 10V

Vgs(th) (Max) @ Id

4V @ 250µA

ค่าเกต (Qg) (สูงสุด) @ Vgs

173nC @ 10V

ความจุอินพุต (Ciss) (สูงสุด) @ Vds

4040pF @ 100V

แรงดันไฟฟ้าของไดรฟ์ (เปิด Max Rds, เปิด Min Rds)

10V

วีจีเอส (สูงสุด)

±30V

ขอใบเสนอราคา

กรุณากรอกข้อมูลในช่องที่ต้องกรอกทั้งหมดแล้วคลิก "ส่ง" เราจะติดต่อคุณภายใน 12 ชั่วโมงทางอีเมล หากคุณมีปัญหาใดๆ โปรดฝากข้อความหรือส่งอีเมลไปที่ [email protected] เราจะตอบกลับโดยเร็วที่สุด

มีสินค้า 48729 PCS

ข้อมูลติดต่อ

สินค้าที่เกี่ยวข้อง

SIHG039N60E-GE3

MOSFET E SERIES 600V TO247AC