รูปภาพอาจเป็นภาพแทน
ดูข้อมูลจำเพาะสำหรับรายละเอียดสินค้า.
SQD30N05-20L_GE3

SQD30N05-20L_GE3

MOSFET N-CH 55V 30A TO252
ส่วนจำนวน
SQD30N05-20L_GE3
ผู้ผลิต/แบรนด์
ชุด
Automotive, AEC-Q101, TrenchFET®
สถานะชิ้นส่วน
Active
บรรจุภัณฑ์
Tape & Reel (TR)
เทคโนโลยี
MOSFET (Metal Oxide)
อุณหภูมิในการทำงาน
-55°C ~ 175°C (TJ)
ประเภทการติดตั้ง
Surface Mount
แพ็คเกจ/กล่อง
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
แพคเกจอุปกรณ์ของซัพพลายเออร์
TO-252AA
การกระจายพลังงาน (สูงสุด)
50W (Tc)
ประเภท FET
N-Channel
คุณสมบัติ FET
-
ระบายไปยังแหล่งแรงดันไฟฟ้า (Vdss)
55V
ปัจจุบัน - ท่อระบายน้ำต่อเนื่อง (Id) @ 25�C
30A (Tc)
Rds On (สูงสุด) @ Id, Vgs
20 mOhm @ 20A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.5V @ 250µA
ค่าเกต (Qg) (สูงสุด) @ Vgs
18nC @ 5V
ความจุอินพุต (Ciss) (สูงสุด) @ Vds
1175pF @ 25V
แรงดันไฟฟ้าของไดรฟ์ (เปิด Max Rds, เปิด Min Rds)
4.5V, 10V
วีจีเอส (สูงสุด)
±20V
ขอใบเสนอราคา
กรุณากรอกข้อมูลในช่องที่ต้องกรอกทั้งหมดแล้วคลิก "ส่ง" เราจะติดต่อคุณภายใน 12 ชั่วโมงทางอีเมล หากคุณมีปัญหาใดๆ โปรดฝากข้อความหรือส่งอีเมลไปที่ [email protected] เราจะตอบกลับโดยเร็วที่สุด
มีสินค้า 28268 PCS
ข้อมูลติดต่อ
คำสำคัญของ SQD30N05-20L_GE3
SQD30N05-20L_GE3 ชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์
SQD30N05-20L_GE3 ฝ่ายขาย
SQD30N05-20L_GE3 ผู้จัดหา
SQD30N05-20L_GE3 ผู้จัดจำหน่าย
SQD30N05-20L_GE3 ตารางข้อมูล
SQD30N05-20L_GE3 ภาพถ่าย
SQD30N05-20L_GE3 ราคา
SQD30N05-20L_GE3 เสนอ
SQD30N05-20L_GE3 ราคาต่ำสุด
SQD30N05-20L_GE3 ค้นหา
SQD30N05-20L_GE3 การจัดซื้อ
SQD30N05-20L_GE3 Chip