ซื้อ Vishay Siliconix SQM100N10-10_GE3 MOSFET N-CH 100V 100A TO-263

จีน
ผู้จัดจำหน่ายชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์ระดับมืออาชีพ

แคตตาล็อก ผู้ผลิต CN ICs

รูปภาพอาจเป็นภาพแทน
ดูข้อมูลจำเพาะสำหรับรายละเอียดสินค้า.

แผ่นข้อมูล

SQM100N10-10_GE3

MOSFET N-CH 100V 100A TO-263

ส่วนจำนวน

SQM100N10-10_GE3

ผู้ผลิต/แบรนด์

Vishay Siliconix

ชุด

Automotive, AEC-Q101, TrenchFET®

สถานะชิ้นส่วน

Active

บรรจุภัณฑ์

Digi-Reel®

เทคโนโลยี

MOSFET (Metal Oxide)

อุณหภูมิในการทำงาน

-55°C ~ 175°C (TJ)

ประเภทการติดตั้ง

Surface Mount

แพ็คเกจ/กล่อง

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

แพคเกจอุปกรณ์ของซัพพลายเออร์

TO-263 (D2Pak)

การกระจายพลังงาน (สูงสุด)

375W (Tc)

ประเภท FET

N-Channel

คุณสมบัติ FET

ระบายไปยังแหล่งแรงดันไฟฟ้า (Vdss)

100V

ปัจจุบัน - ท่อระบายน้ำต่อเนื่อง (Id) @ 25�C

100A (Tc)

Rds On (สูงสุด) @ Id, Vgs

10.5 mOhm @ 30A, 10V

Vgs(th) (Max) @ Id

2.5V @ 250µA

ค่าเกต (Qg) (สูงสุด) @ Vgs

185nC @ 10V

ความจุอินพุต (Ciss) (สูงสุด) @ Vds

8050pF @ 25V

แรงดันไฟฟ้าของไดรฟ์ (เปิด Max Rds, เปิด Min Rds)

4.5V, 10V

วีจีเอส (สูงสุด)

±20V

ขอใบเสนอราคา

กรุณากรอกข้อมูลในช่องที่ต้องกรอกทั้งหมดแล้วคลิก "ส่ง" เราจะติดต่อคุณภายใน 12 ชั่วโมงทางอีเมล หากคุณมีปัญหาใดๆ โปรดฝากข้อความหรือส่งอีเมลไปที่ [email protected] เราจะตอบกลับโดยเร็วที่สุด

มีสินค้า 48412 PCS

ข้อมูลติดต่อ

สินค้าที่เกี่ยวข้อง

SQM100N02-3M5L_GE3

MOSFET N-CH 20V 100A TO263