ซื้อ Vishay Siliconix SUD20N10-66L-GE3 MOSFET N-CH 100V 16.9A TO-252

จีน
ผู้จัดจำหน่ายชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์ระดับมืออาชีพ

แคตตาล็อก ผู้ผลิต CN ICs

รูปภาพอาจเป็นภาพแทน
ดูข้อมูลจำเพาะสำหรับรายละเอียดสินค้า.

แผ่นข้อมูล

SUD20N10-66L-GE3

MOSFET N-CH 100V 16.9A TO-252

ส่วนจำนวน

SUD20N10-66L-GE3

ผู้ผลิต/แบรนด์

Vishay Siliconix

ชุด

TrenchFET®

สถานะชิ้นส่วน

Active

บรรจุภัณฑ์

Cut Tape (CT)

เทคโนโลยี

MOSFET (Metal Oxide)

อุณหภูมิในการทำงาน

-55°C ~ 150°C (TJ)

ประเภทการติดตั้ง

Surface Mount

แพ็คเกจ/กล่อง

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

แพคเกจอุปกรณ์ของซัพพลายเออร์

TO-252

การกระจายพลังงาน (สูงสุด)

2.1W (Ta), 41.7W (Tc)

ประเภท FET

N-Channel

คุณสมบัติ FET

ระบายไปยังแหล่งแรงดันไฟฟ้า (Vdss)

100V

ปัจจุบัน - ท่อระบายน้ำต่อเนื่อง (Id) @ 25�C

16.9A (Tc)

Rds On (สูงสุด) @ Id, Vgs

66 mOhm @ 6.6A, 10V

Vgs(th) (Max) @ Id

3V @ 250µA

ค่าเกต (Qg) (สูงสุด) @ Vgs

30nC @ 10V

ความจุอินพุต (Ciss) (สูงสุด) @ Vds

860pF @ 50V

แรงดันไฟฟ้าของไดรฟ์ (เปิด Max Rds, เปิด Min Rds)

4.5V, 10V

วีจีเอส (สูงสุด)

±20V

ขอใบเสนอราคา

กรุณากรอกข้อมูลในช่องที่ต้องกรอกทั้งหมดแล้วคลิก "ส่ง" เราจะติดต่อคุณภายใน 12 ชั่วโมงทางอีเมล หากคุณมีปัญหาใดๆ โปรดฝากข้อความหรือส่งอีเมลไปที่ [email protected] เราจะตอบกลับโดยเร็วที่สุด

มีสินค้า 44016 PCS

ข้อมูลติดต่อ

สินค้าที่เกี่ยวข้อง

SUD20N10-66L-GE3

MOSFET N-CH 100V 16.9A TO-252