ซื้อ WeEn Semiconductors BYV30X-600PQ DIODE GEN PURP 600V 30A TO220F

จีน
ผู้จัดจำหน่ายชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์ระดับมืออาชีพ

แคตตาล็อก ผู้ผลิต CN ICs

รูปภาพอาจเป็นภาพแทน
ดูข้อมูลจำเพาะสำหรับรายละเอียดสินค้า.

ดูข้อมูลเพิ่มเติม แผ่นข้อมูล

BYV30X-600PQ

DIODE GEN PURP 600V 30A TO220F

ส่วนจำนวน

BYV30X-600PQ

ผู้ผลิต/แบรนด์

WeEn Semiconductors

ชุด

สถานะชิ้นส่วน

Active

บรรจุภัณฑ์

Tube

ประเภทการติดตั้ง

Through Hole

แพ็คเกจ/กล่อง

TO-220-2 Full Pack, Isolated Tab

แพคเกจอุปกรณ์ของซัพพลายเออร์

TO-220F

ประเภทไดโอด

Standard

ปัจจุบัน - ค่าเฉลี่ยที่แก้ไขแล้ว (Io)

30A

แรงดันไฟฟ้า - เดินหน้า (Vf) (สูงสุด) @ ถ้า

1.55V @ 30A

กระแสไฟฟ้า - การรั่วไหลแบบย้อนกลับ @ Vr

10µA @ 600V

แรงดันไฟฟ้า - กระแสตรงย้อนกลับ (Vr) (สูงสุด)

600V

ความเร็ว

Fast Recovery = 200mA (Io)

เวลาฟื้นตัวย้อนกลับ (trr)

75ns

อุณหภูมิในการทำงาน-ทางแยก

175°C (Max)

ความจุ @ Vr, F

ขอใบเสนอราคา

กรุณากรอกข้อมูลในช่องที่ต้องกรอกทั้งหมดแล้วคลิก "ส่ง" เราจะติดต่อคุณภายใน 12 ชั่วโมงทางอีเมล หากคุณมีปัญหาใดๆ โปรดฝากข้อความหรือส่งอีเมลไปที่ [email protected] เราจะตอบกลับโดยเร็วที่สุด

มีสินค้า 36791 PCS

ข้อมูลติดต่อ