รูปภาพอาจเป็นภาพแทน
ดูข้อมูลจำเพาะสำหรับรายละเอียดสินค้า.
SIA810DJ-T1-E3
MOSFET N-CH 20V 4.5A SC-70-6
บรรจุภัณฑ์
Tape & Reel (TR)
เทคโนโลยี
MOSFET (Metal Oxide)
อุณหภูมิในการทำงาน
-55°C ~ 150°C (TJ)
ประเภทการติดตั้ง
Surface Mount
แพ็คเกจ/กล่อง
PowerPAK® SC-70-6 Dual
แพคเกจอุปกรณ์ของซัพพลายเออร์
PowerPAK® SC-70-6 Dual
การกระจายพลังงาน (สูงสุด)
1.9W (Ta), 6.5W (Tc)
คุณสมบัติ FET
Schottky Diode (Isolated)
ระบายไปยังแหล่งแรงดันไฟฟ้า (Vdss)
20V
ปัจจุบัน - ท่อระบายน้ำต่อเนื่อง (Id) @ 25�C
4.5A (Tc)
Rds On (สูงสุด) @ Id, Vgs
53 mOhm @ 3.7A, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id
1V @ 250µA
ค่าเกต (Qg) (สูงสุด) @ Vgs
11.5nC @ 8V
ความจุอินพุต (Ciss) (สูงสุด) @ Vds
400pF @ 10V
แรงดันไฟฟ้าของไดรฟ์ (เปิด Max Rds, เปิด Min Rds)
1.8V, 4.5V
ขอใบเสนอราคา
กรุณากรอกข้อมูลในช่องที่ต้องกรอกทั้งหมดแล้วคลิก "ส่ง" เราจะติดต่อคุณภายใน 12 ชั่วโมงทางอีเมล หากคุณมีปัญหาใดๆ โปรดฝากข้อความหรือส่งอีเมลไปที่ chen_hx1688@hotmail.com เราจะตอบกลับโดยเร็วที่สุด
มีสินค้า 36289 PCS
คำสำคัญของ SIA810DJ-T1-E3
SIA810DJ-T1-E3 ชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์
SIA810DJ-T1-E3 ฝ่ายขาย
SIA810DJ-T1-E3 ผู้จัดหา
SIA810DJ-T1-E3 ผู้จัดจำหน่าย
SIA810DJ-T1-E3 ตารางข้อมูล
SIA810DJ-T1-E3 ภาพถ่าย
SIA810DJ-T1-E3 ราคา
SIA810DJ-T1-E3 เสนอ
SIA810DJ-T1-E3 ราคาต่ำสุด
SIA810DJ-T1-E3 ค้นหา
SIA810DJ-T1-E3 การจัดซื้อ
SIA810DJ-T1-E3 Chip