รูปภาพอาจเป็นภาพแทน
ดูข้อมูลจำเพาะสำหรับรายละเอียดสินค้า.
SIA811ADJ-T1-GE3

SIA811ADJ-T1-GE3

MOSFET P-CH 20V 4.5A PPAK SC70-6
ส่วนจำนวน
SIA811ADJ-T1-GE3
ผู้ผลิต/แบรนด์
ชุด
LITTLE FOOT®
สถานะชิ้นส่วน
Active
บรรจุภัณฑ์
Digi-Reel®
เทคโนโลยี
MOSFET (Metal Oxide)
อุณหภูมิในการทำงาน
-55°C ~ 150°C (TJ)
ประเภทการติดตั้ง
Surface Mount
แพ็คเกจ/กล่อง
PowerPAK® SC-70-6 Dual
แพคเกจอุปกรณ์ของซัพพลายเออร์
PowerPAK® SC-70-6 Dual
การกระจายพลังงาน (สูงสุด)
1.8W (Ta), 6.5W (Tc)
ประเภท FET
P-Channel
คุณสมบัติ FET
Schottky Diode (Isolated)
ระบายไปยังแหล่งแรงดันไฟฟ้า (Vdss)
20V
ปัจจุบัน - ท่อระบายน้ำต่อเนื่อง (Id) @ 25�C
4.5A (Tc)
Rds On (สูงสุด) @ Id, Vgs
116 mOhm @ 2.8A, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id
1V @ 250µA
ค่าเกต (Qg) (สูงสุด) @ Vgs
13nC @ 8V
ความจุอินพุต (Ciss) (สูงสุด) @ Vds
345pF @ 10V
แรงดันไฟฟ้าของไดรฟ์ (เปิด Max Rds, เปิด Min Rds)
1.8V, 4.5V
วีจีเอส (สูงสุด)
±8V
ขอใบเสนอราคา
กรุณากรอกข้อมูลในช่องที่ต้องกรอกทั้งหมดแล้วคลิก "ส่ง" เราจะติดต่อคุณภายใน 12 ชั่วโมงทางอีเมล หากคุณมีปัญหาใดๆ โปรดฝากข้อความหรือส่งอีเมลไปที่ [email protected] เราจะตอบกลับโดยเร็วที่สุด
มีสินค้า 25223 PCS
ข้อมูลติดต่อ
คำสำคัญของ SIA811ADJ-T1-GE3
SIA811ADJ-T1-GE3 ชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์
SIA811ADJ-T1-GE3 ฝ่ายขาย
SIA811ADJ-T1-GE3 ผู้จัดหา
SIA811ADJ-T1-GE3 ผู้จัดจำหน่าย
SIA811ADJ-T1-GE3 ตารางข้อมูล
SIA811ADJ-T1-GE3 ภาพถ่าย
SIA811ADJ-T1-GE3 ราคา
SIA811ADJ-T1-GE3 เสนอ
SIA811ADJ-T1-GE3 ราคาต่ำสุด
SIA811ADJ-T1-GE3 ค้นหา
SIA811ADJ-T1-GE3 การจัดซื้อ
SIA811ADJ-T1-GE3 Chip