ซื้อ Vishay Siliconix SIA850DJ-T1-GE3 MOSFET N-CH 190V 0.95A SC70-6

จีน
ผู้จัดจำหน่ายชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์ระดับมืออาชีพ

แคตตาล็อก ผู้ผลิต CN ICs

รูปภาพอาจเป็นภาพแทน
ดูข้อมูลจำเพาะสำหรับรายละเอียดสินค้า.

ดูข้อมูลเพิ่มเติม แผ่นข้อมูล

SIA850DJ-T1-GE3

MOSFET N-CH 190V 0.95A SC70-6

ส่วนจำนวน

SIA850DJ-T1-GE3

ผู้ผลิต/แบรนด์

Vishay Siliconix

ชุด

LITTLE FOOT®

สถานะชิ้นส่วน

Obsolete

บรรจุภัณฑ์

Tape & Reel (TR)

เทคโนโลยี

MOSFET (Metal Oxide)

อุณหภูมิในการทำงาน

-55°C ~ 150°C (TJ)

ประเภทการติดตั้ง

Surface Mount

แพ็คเกจ/กล่อง

PowerPAK® SC-70-6 Dual

แพคเกจอุปกรณ์ของซัพพลายเออร์

PowerPAK® SC-70-6 Dual

การกระจายพลังงาน (สูงสุด)

1.9W (Ta), 7W (Tc)

ประเภท FET

N-Channel

คุณสมบัติ FET

Schottky Diode (Isolated)

ระบายไปยังแหล่งแรงดันไฟฟ้า (Vdss)

190V

ปัจจุบัน - ท่อระบายน้ำต่อเนื่อง (Id) @ 25�C

950mA (Tc)

Rds On (สูงสุด) @ Id, Vgs

3.8 Ohm @ 360mA, 4.5V

Vgs(th) (Max) @ Id

1.4V @ 250µA

ค่าเกต (Qg) (สูงสุด) @ Vgs

4.5nC @ 10V

ความจุอินพุต (Ciss) (สูงสุด) @ Vds

90pF @ 100V

แรงดันไฟฟ้าของไดรฟ์ (เปิด Max Rds, เปิด Min Rds)

1.8V, 4.5V

วีจีเอส (สูงสุด)

±16V

ขอใบเสนอราคา

กรุณากรอกข้อมูลในช่องที่ต้องกรอกทั้งหมดแล้วคลิก "ส่ง" เราจะติดต่อคุณภายใน 12 ชั่วโมงทางอีเมล หากคุณมีปัญหาใดๆ โปรดฝากข้อความหรือส่งอีเมลไปที่ [email protected] เราจะตอบกลับโดยเร็วที่สุด

มีสินค้า 37443 PCS

ข้อมูลติดต่อ

สินค้าที่เกี่ยวข้อง

SIA810DJ-T1-E3

MOSFET N-CH 20V 4.5A SC-70-6