SQJ200EP-T1_GE3
MOSFET 2N-CH 20V 20A/60A PPAK SO
ส่วนจำนวน
SQJ200EP-T1_GE3
ผู้ผลิต/แบรนด์
ชุด
Automotive, AEC-Q101, TrenchFET®
สถานะชิ้นส่วน
Active
บรรจุภัณฑ์
Cut Tape (CT)
อุณหภูมิในการทำงาน
-55°C ~ 175°C (TJ)
ประเภทการติดตั้ง
Surface Mount
แพ็คเกจ/กล่อง
PowerPAK® SO-8 Dual
กำลัง - สูงสุด
27W, 48W
แพคเกจอุปกรณ์ของซัพพลายเออร์
PowerPAK® SO-8 Dual Asymmetric
ประเภท FET
2 N-Channel (Dual)
คุณสมบัติ FET
Standard
ระบายไปยังแหล่งแรงดันไฟฟ้า (Vdss)
20V
ปัจจุบัน - ท่อระบายน้ำต่อเนื่อง (Id) @ 25�C
20A, 60A
Rds On (สูงสุด) @ Id, Vgs
8.8 mOhm @ 16A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2V @ 250µA
ค่าเกต (Qg) (สูงสุด) @ Vgs
18nC @ 10V
ความจุอินพุต (Ciss) (สูงสุด) @ Vds
975pF @ 10V
ขอใบเสนอราคา
กรุณากรอกข้อมูลในช่องที่ต้องกรอกทั้งหมดแล้วคลิก "ส่ง" เราจะติดต่อคุณภายใน 12 ชั่วโมงทางอีเมล หากคุณมีปัญหาใดๆ โปรดฝากข้อความหรือส่งอีเมลไปที่ [email protected] เราจะตอบกลับโดยเร็วที่สุด
มีสินค้า 37104 PCS
ข้อมูลติดต่อ
สินค้าที่เกี่ยวข้อง
คำสำคัญของ SQJ200EP-T1_GE3
SQJ200EP-T1_GE3 ชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์
SQJ200EP-T1_GE3 ฝ่ายขาย
SQJ200EP-T1_GE3 ผู้จัดหา
SQJ200EP-T1_GE3 ผู้จัดจำหน่าย
SQJ200EP-T1_GE3 ตารางข้อมูล
SQJ200EP-T1_GE3 ภาพถ่าย
SQJ200EP-T1_GE3 ราคา
SQJ200EP-T1_GE3 เสนอ
SQJ200EP-T1_GE3 ราคาต่ำสุด
SQJ200EP-T1_GE3 ค้นหา
SQJ200EP-T1_GE3 การจัดซื้อ
SQJ200EP-T1_GE3 Chip