รูปภาพอาจเป็นภาพแทน
ดูข้อมูลจำเพาะสำหรับรายละเอียดสินค้า.
SQJ202EP-T1_GE3

SQJ202EP-T1_GE3

MOSFET 2N-CH 12V 20A/60A PPAK SO
ส่วนจำนวน
SQJ202EP-T1_GE3
ผู้ผลิต/แบรนด์
ชุด
Automotive, AEC-Q101, TrenchFET®
สถานะชิ้นส่วน
Active
บรรจุภัณฑ์
Digi-Reel®
อุณหภูมิในการทำงาน
-55°C ~ 175°C (TJ)
ประเภทการติดตั้ง
Surface Mount
แพ็คเกจ/กล่อง
PowerPAK® SO-8 Dual
กำลัง - สูงสุด
27W, 48W
แพคเกจอุปกรณ์ของซัพพลายเออร์
PowerPAK® SO-8 Dual Asymmetric
ประเภท FET
2 N-Channel (Dual)
คุณสมบัติ FET
Standard
ระบายไปยังแหล่งแรงดันไฟฟ้า (Vdss)
12V
ปัจจุบัน - ท่อระบายน้ำต่อเนื่อง (Id) @ 25�C
20A, 60A
Rds On (สูงสุด) @ Id, Vgs
6.5 mOhm @ 15A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2V @ 250µA
ค่าเกต (Qg) (สูงสุด) @ Vgs
22nC @ 10V
ความจุอินพุต (Ciss) (สูงสุด) @ Vds
975pF @ 6V
ขอใบเสนอราคา
กรุณากรอกข้อมูลในช่องที่ต้องกรอกทั้งหมดแล้วคลิก "ส่ง" เราจะติดต่อคุณภายใน 12 ชั่วโมงทางอีเมล หากคุณมีปัญหาใดๆ โปรดฝากข้อความหรือส่งอีเมลไปที่ [email protected] เราจะตอบกลับโดยเร็วที่สุด
มีสินค้า 46189 PCS
ข้อมูลติดต่อ
คำสำคัญของ SQJ202EP-T1_GE3
SQJ202EP-T1_GE3 ชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์
SQJ202EP-T1_GE3 ฝ่ายขาย
SQJ202EP-T1_GE3 ผู้จัดหา
SQJ202EP-T1_GE3 ผู้จัดจำหน่าย
SQJ202EP-T1_GE3 ตารางข้อมูล
SQJ202EP-T1_GE3 ภาพถ่าย
SQJ202EP-T1_GE3 ราคา
SQJ202EP-T1_GE3 เสนอ
SQJ202EP-T1_GE3 ราคาต่ำสุด
SQJ202EP-T1_GE3 ค้นหา
SQJ202EP-T1_GE3 การจัดซื้อ
SQJ202EP-T1_GE3 Chip